[實用新型]用于信號放大器的二階補償帶隙基準電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720688136.5 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN206757446U | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙翔;陳忠志;彭卓 | 申請(專利權(quán))人: | 成都芯進電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙)51220 | 代理人: | 郭受剛 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 信號 放大器 補償 基準 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及帶隙基準電路,具體是用于信號放大器的二階補償帶隙基準電路。
背景技術
信號放大器廣泛應用于通訊、廣播、雷達、電視、自動控制等領域,其是信號處理中的關鍵部件,作用是將信號放大,以供后端使用。高精度的信號放大器,需要精確的把微弱的信號線性放大,因此需要提供準確的電壓和電流。為了減小閉環(huán)中放大器隨機失調(diào)引入的誤差,放大器的輸入對通常使用NPN三極管,NPN三極管相比于MOS管輸入對有更小的失調(diào),低溫下NPN三極管的電流增益下降,使低溫下VBG通路流過的電流在低溫下有所提高,產(chǎn)生二階補償效應,得到-40度到150度更準確的電壓值。然而,信號放大器的輸入對使用NPN 三極管后,受到低溫下NPN三極管電流增益下降的影響,會導致信號放大器不能實現(xiàn)全溫度范圍恒定的增益,這一定程度上影響了輸入對使用NPN三極管的信號放大器的推廣應用。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于解決輸入對使用NPN三極管的信號放大器不能實現(xiàn)全溫度范圍恒定增益的問題,提供了一種用于信號放大器的二階補償帶隙基準電路,其應用時能提供準確的電壓和電流,并能實現(xiàn)全溫度范圍恒定的增益。
本實用新型的目的主要通過以下技術方案實現(xiàn):用于信號放大器的二階補償帶隙基準電路,包括PMOS電流鏡、VBG生成模塊、正溫度系數(shù)電壓差生成模塊、以及具有NPN三極管輸入對的放大器,所述正溫度系數(shù)電壓差生成模塊包括兩條NPN三極管串聯(lián)支路,所述 VBG生成模塊和兩條NPN三極管串聯(lián)支路均與PMOS電流鏡連接,所述放大器的兩個輸入端一一對應的連接于兩條NPN三極管串聯(lián)支路與PMOS電流鏡之間的線路上,放大器設有為其內(nèi)NPN三極管發(fā)射極鏡像供電的NMOS電流鏡,放大器的兩個輸入端為放大器中NPN 三極管基極構(gòu)成;
正溫度系數(shù)電壓差生成模塊,用于輸出PTAT電流;
PMOS電流鏡,用于將PTAT電流與放大器兩輸入端的電流疊加的電流提供給NMOS電流鏡和VBG生成模塊;
NMOS電流鏡,用于接收PMOS電流鏡提供的電流,并為放大器中NPN三極管發(fā)射極鏡像供電;
VBG生成模塊,用于接收PMOS電流鏡提供的電流,用于生成與溫度無關的電壓。本實用新型所述的PTAT電流(proportional to absolute temperature)為與絕對溫度成正比的電流。本實用新型在低溫下,放大器中NPN三極管的電流增益變小,因此輸入對的抽取的基極電流變大,流入PMOS電流鏡的電流為標準PTAT電流與三極管輸入對的基極電流相加,相加后的電流在低溫下比標準的PTAT電流大,此電流被PMOS電流鏡鏡像到VBG生成模塊,VBG 被調(diào)整成一個與溫度無關的電壓。本實用新型對放大器的輸入對供電時具體對NPN管的發(fā)射極端供電,基極端會流入一點電流,這導致的結(jié)果是集電極端的電流就會略小一點,因此本實用新型對此進行補償,目的是讓集電極端的電流是標準的PTAT電流。
進一步的,所述PMOS電流鏡包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS 管、第四PMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管六者的柵極均與放大器的輸出端連接,六者的源極均連接電源,所述正溫度系數(shù)電壓差生成模塊的兩條NPN三極管串聯(lián)支路分別與第一PMOS管漏極、第二PMOS管漏極連接,第三PMOS管的漏極與放大器中的NMOS電流鏡連接,第四PMOS管的漏極懸空,第五PMOS管的漏極與VBG生成模塊連接,第六PMOS 管的漏極用于輸出PTAT電流與放大器兩輸入端的電流疊加的電流。
進一步的,所述正溫度系數(shù)電壓差生成模塊的兩條NPN三極管串聯(lián)支路分別為第一NPN 三極管串聯(lián)支路和第二NPN三極管串聯(lián)支路,所述第一NPN三極管串聯(lián)支路包括第一NPN 三極管和第二NPN三極管,所述第一NPN三極管和第二NPN三極管兩者的基極均與集電極連接,第一NPN三極管發(fā)射極與第二NPN三極管的集電極連接,第二NPN三極管的發(fā)射極接地,所述第一NPN三極管集電極與PMOS電流鏡,所述放大器的反相輸入端連接在PMOS 電流鏡與第一NPN三極管集電極之間的線路上;
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