[實用新型]芯片及晶圓

有效

• 申請號: 201720686106.0
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN207367966U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 殷原梓;李日鑫
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 侯莉;毛立群

1.一種芯片，其特征在于，包括：

集成電路區；

位于所述集成電路區外圍的切割偏斜測量結構，所述切割偏斜測量結構設有：

沿著所述芯片的邊緣依次設置的若干標尺部，在所述若干標尺部的排列方向上，所述若干標尺部背向所述集成電路區的末端越來越遠離所述集成電路區；

用于表征偏移量并沿著所述邊緣依次設置的若干標記，所述若干標記與所述若干標尺部一一對應。

2.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述切割偏斜測量結構的數量至少為兩個；

兩個所述切割偏斜測量結構分布在所述芯片相鄰的兩條邊上；或者，

兩個所述切割偏斜測量結構分布在所述芯片背對的兩條邊上。

3.如權利要求2所述的芯片，其特征在于，分布在所述芯片相鄰兩條邊上的兩個所述切割偏斜測量結構關于所述芯片的一對角線對稱設置；

分布在所述芯片背對的兩條邊上的兩個所述切割偏斜測量結構關于所述芯片另外兩條邊的中點連線對稱設置。

4.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述若干標尺部為若干沿著所述排列方向間隔設置，并自所述集成電路區向所述邊緣突出的凸塊；

在所述排列方向上，所述若干凸塊背向所述邊緣的末端越來越遠離所述集成電路區。

5.如權利要求4所述的芯片，其特征在于，所述標記設置在所述凸塊上。

6.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述標記為數字。

7.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括至少覆蓋在所述標尺部和所述標記上的透明絕緣部。

8.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括：圍繞所述集成電路區的密封環區，以及位于所述密封環區的密封環，所述切割偏斜測量結構位于所述密封環的外圍。

9.如權利要求8所述的芯片，其特征在于，所述密封環包括第一單元環和圍繞所述第一單元環的第二單元環。

10.如權利要求8所述的芯片，其特征在于，所述密封環包括若干層金屬層。

11.如權利要求10所述的芯片，其特征在于，所述標尺部與最頂層的所述金屬層位于同一層，并一體成型。

12.一種晶圓，其特征在于，包括：至少兩個相鄰設置并被切割道隔開的權利要求1至11任一項所述的芯片，相鄰兩個所述芯片面向彼此的邊緣均設有所述切割偏斜測量結構，且在所述排列方向上，一個所述芯片上的所述若干標尺部與另一所述芯片上相對的所述若干標尺部之間的間隔越來越小。

13.如權利要求12所述的晶圓，其特征在于，相鄰兩個所述芯片面向彼此的邊緣上的所述切割偏斜測量結構關于之間的切割道對稱設置。

14.如權利要求13所述的晶圓，其特征在于，相鄰兩個所述芯片上的所述切割偏斜測量結構之間的最小間距為機械刀的寬度。

15.如權利要求12所述的晶圓，其特征在于，包括排列成矩形陣列的若干芯片；

包括所述切割偏斜測量結構的芯片至少分布在所述矩形陣列的最首行和最末行，且最首行和最末行的芯片中位于同一列的芯片上的所述切割偏斜測量結構關于所述矩形陣列的中心線對稱設置；和/或，

包括所述切割偏斜測量結構的芯片至少分布在所述矩形陣列的最首列和最末列，且最首列和最末列的芯片中位于同一行的芯片上的所述切割偏斜測量結構關于所述矩形陣列的中心線對稱設置。

16.如權利要求15所述的晶圓，其特征在于，排列成所述矩形陣列的若干芯片所在區域大小為曝光場的大小。