[實用新型]硅基高效太陽能電池

有效

• 申請號: 201720682100.6
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN207233757U
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 吳波;秦崇德;周文遠;方結彬
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0725
• 分類號: H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0336
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司11429
• 代理人: 孔凡亮

1.一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，包括單晶硅P型電池、鍵合層(6)和GaInP薄膜電池，所述GaInP薄膜電池通過鍵合層(6)鍵合到單晶硅P型電池的正面。

2.根據權利要求1所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，所述單晶硅P型電池包括下電極(1)、鋁背場(2)、P型層(3)、N+層(4)和鈍化膜(5)；

所述下電極(1)設置在鋁背場(2)上，鋁背場(2)位于P型層(3)的背面，所述N+層(4)位于P型層(3)的正面，所述鈍化膜(5)位于N+層(4)表面。

3.根據權利要求1或2所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，所述鍵合層(6)采用點陣Au/Au鍵合。

4.根據權利要求3所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，所述鍵合層(6)上開有若干圓形或方形空隙，所述空隙內填充有EVA(7)。

5.根據權利要求1所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，所述GaInP薄膜電池包括隧道結(8)、GaInP子電池和上電極(13)；

所述隧道結(8)位于鍵合層(6)和GaInP子電池之間，所述上電極(13)位于GaInP子電池上表面；

所述GaInP子電池包括AlGaInP背場(9)、GaInP基區(10)、GaInP發射區(11)和AlInP窗口層(12)，所述AlGaInP背場(9)、GaInP基區(10)、GaInP發射區(11)和AlInP窗口層(12)從下至上依次布置。

6.根據權利要求5所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，采用N型GaAs襯底(17)或Ge襯底作為支撐襯底，依次設有300-500nm GaAs緩沖層(16)、10-15nm的AlAs犧牲層(15)、300-500nm GaAs歐姆接觸層(14)、700-2500nm的所述GaInP子電池、及10-30nm的隧道結(8)。

7.根據權利要求6所述的一種硅基高效太陽能電池，其特征在于，采用325μm GaAs-N型襯底作為支撐基底。