[實用新型]一種高硬度軟膜結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720678486.3
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN207148347U
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂政锜
• 申請（專利權(quán)）人: 宸寰科技有限公司
• 主分類號: G02B1/14
• 分類號: G02B1/14
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務(wù)所(普通合伙)11301
• 代理人: 鄭玉潔

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種可撓性薄膜，尤指一種光學(xué)用高硬度、抗污及導(dǎo)電的高硬度軟膜結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

軟膜(塑料基板)取代玻璃基板成為次世代顯示器材料是未來的趨勢。因為軟膜擁有較玻璃基板的輕、薄、耐沖擊、可卷曲等優(yōu)勢，可應(yīng)用于許多可攜式及穿戴式顯示設(shè)備，以提高使用壽命并增加使用范圍。然而，軟膜的硬度不及玻璃基板，常常需要在軟膜表面做硬膜處理(Hard Coating)。目前軟膜在光電產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用有：(一)透明導(dǎo)電薄膜(Transparent Con- ductive Film)：利用軟膜的特性，鍍上透明導(dǎo)電膜作為電極，應(yīng)用于觸控式面板屏幕、液晶顯示面板(LCD panel)、有機發(fā)光二極管(OLED)、電子書(e-book)等，可增加產(chǎn)品的競爭力。除了更輕更薄外，可撓曲的基板優(yōu)點更是未來被光電產(chǎn)業(yè)應(yīng)用所吸引的主因。(二)抗反射防靜電薄膜(Anti-reflection/Anti-static)：抗反射膜能增加對比、降低反射并增加穿透率，同時通過膜層的設(shè)計，還能有抗靜電、耐污、防紫外線照射破壞的功能。以往將抗反射膜鍍于玻璃上的需求已明顯降低，取而代之的是鍍于光學(xué)膜，如偏光板、增亮膜等，以增加產(chǎn)品的功能性。(三)表面硬膜(Hard Coating)：對于表面硬度不足的軟膜而言，鍍上硬涂層，如亞克力樹脂(PMMA)等，能大幅增加軟膜表面的硬度，增加產(chǎn)品的使用壽命。產(chǎn)品的應(yīng)用如：觸控面板、偏光板、各式塑料型顯示器等。(四)光儲存：如CD-R、DVD-R等在Polycarbonate (PC)基板上制鍍反射層。(五)其他：其他軟膜表面處理的產(chǎn)品應(yīng)用方面還有如，在PI (Polyimide)膜上鍍上Cu薄膜以作為制鍍銅箔的導(dǎo)電電極，此為FPC(Flexible Print Circuit) 工藝的基板材料。另外如智能窗、隔熱紙以及降低水氧氣滲透所制鍍的阻絕層等，均是能利用軟膜表面處理方式增加其功能性所發(fā)展出來的用途。

薄膜表面處理方法，可分為干式處理工藝及濕式處理工藝，其中，干式處理工藝可使用氧化鋁、氧化硅、氧化鎂等的無機物或無機氧化物，利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等的物理氣相成長法(PVD法)，或電漿化學(xué)氣相成長法、熱化學(xué)氣相成長法、光化學(xué)氣相成長法等的化學(xué)氣相成長法(CVD法)等，形成該無機物的蒸鍍膜而成的表面處理薄膜。其借由電漿CVD法形成以硅氧化物為主成分的表面處理方法中，由于基材表面受到電漿的發(fā)光熱或離子、自由基的沖撞等的影響。干式處理工藝仍有披覆時溫度較高易影響塑料基材質(zhì)量及成品易彎折龜裂等物性不安定的問題。另外，濕式處理工藝可使用光硬化或熱硬化樹脂樹脂涂布方式，將有機無機混成材料涂布于基材上，先前技術(shù)針對濕式表面硬膜處理方式研究，如中國臺灣專利公告號420636所公開，一種具低反射色的反反射涂覆層的撓性塑料基質(zhì)包括折射率范圍由1.55至1.71的表面及第二表面，一有機硬膜淀積于該基質(zhì)的第一表面上且在該第一表面上載有一反反射涂覆層的光學(xué)對象，并層疊于該有機硬膜上，該反反射涂覆層由高折射率材料與低折射率材料所組成，該反反射涂覆層提供一低于1％的反射量。另外也有，針對表面硬涂研究，如中國臺灣專利公告號201606591所公開，一種積層薄膜及使用其的觸控面板，其中，該積層薄膜鉛筆硬度為H以上的樹脂層。粒子為選自包括氧化硅粒子、硫酸鋇粒子、氧化鋁粒子及碳酸鈣粒子的群組中的至少1種粒子。以及如中國臺灣專利證書號I546198所公開，一種高阻氣性且阻氣性的重復(fù)再現(xiàn)性優(yōu)異的阻氣性薄膜。其在高分子基材的至少一面上依順序積層有以下的[A]層與[B]層，[A]層：鉛筆硬度為H～3H且表面自由能為45mN/m以下的交聯(lián)樹脂層，[B]層：厚度為10～1000nm的含硅無機層，其是以下的[B1]層或[B2]層中的任一個，[B1]層：包括氧化鋅、二氧化硅與氧化鋁的共存相的層，[B2] 層：包括硫化鋅與二氧化硅的共存相的層。