[實用新型]一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720678135.2
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN207149876U
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅俊崗;潘彥廷;李馬惠;王興;師宇晨;燕聰慧;楊亞楠;楊英;陳怡婷
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西源杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，包括設(shè)置在頂部的包層(10)和設(shè)置在底部的n-型InP襯底(1)，以及從下到上依次設(shè)置在n-型InP襯底(1)和頂部的包層(10)之間的調(diào)制器多量子阱(3)、激光器多量子阱(7)和光柵層(9)，以及設(shè)置在兩端的高反射膜(11)和抗反射膜(12)；

n-型InP襯底(1)、包層(10)和調(diào)制器多量子阱(3)的一端與高反射膜(11)接觸，另一端與抗反射膜(12)接觸；激光器多量子阱(7)和光柵層(9)的一端與高反射膜(11)接觸，另一端不接觸抗反射膜(12)，激光器多量子阱(7)和光柵層(9)與抗反射膜(12)之間填充有包層(10)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，n-型InP襯底(1)底面設(shè)置有n面金屬電極(14)，包層(10)頂面設(shè)置有p面金屬電極，p面金屬電極包括激光器正極金屬電極(15)和調(diào)制器金屬電極(16)，且激光器正極金屬電極(15)和調(diào)制器金屬電極(16)之間設(shè)置有電隔離區(qū)(13)，高反射膜(11)與電隔離區(qū)(13)之間為激光器正極金屬電極(15)，抗反射膜(12)與電隔離區(qū)(13)之間為調(diào)制器金屬電極(16)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，激光器多量子阱(7)和光柵層(9)的另一端設(shè)置在電隔離區(qū)(13)左下方，不進(jìn)入電隔離區(qū)(13)的正下方區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，激光器多量子阱(7)和光柵層(9)的長度為調(diào)制器多量子阱(3)的一半。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，調(diào)制器多量子阱(3)的上下分別設(shè)置有調(diào)制器上層分別限制異質(zhì)層(4)和調(diào)制器下層分別限制異質(zhì)層(2)；激光器多量子阱(7)的上下分別設(shè)置有激光器上層分別限制異質(zhì)層(8)和激光器下層分別限制異質(zhì)層(6)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，調(diào)制器的上層分別限制異質(zhì)層(4)與激光器區(qū)域的下層分別限制異質(zhì)層(6)之間設(shè)置有刻蝕停止層(5)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，電隔離區(qū)(13)為刻蝕在激光器與調(diào)制器之間的U型電隔離溝槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙量子阱電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，包層(10)的折射率低于激光器多量子阱(7)和調(diào)制器多量子阱(3)的折射率。