[實用新型]一種Sagnac磁場檢測系統有效
| 申請號: | 201720672210.4 | 申請日: | 2017-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN206773166U | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 彭保進;石福權;駱琰;陳佳佳 | 申請(專利權)人: | 浙江師范大學 |
| 主分類號: | G01R33/02 | 分類號: | G01R33/02 |
| 代理公司: | 杭州知瑞知識產權代理有限公司33271 | 代理人: | 巫麗青 |
| 地址: | 321004 浙江省金*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sagnac 磁場 檢測 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及磁場檢測技術領域,具體涉及一種Sagnac磁場檢測系統。
背景技術
由于以往的sagnac干涉大多介紹的是干涉譜的漂移,一般的探測器無法很難檢測到干涉型傳感器波長移動的參量,而且,由于最近幾年的光纖傳感器大多限于理論模擬或實驗室階段,無法進一步的在實際中應用。而一般的探測器無法測量傳感器譜線移動的測量,并且實驗所用的光譜儀價格昂貴與笨重,不便于自動報告與控制。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種Sagnac磁場檢測系統,能夠克服現有技術的上述缺陷。
根據本實用新型,本實用新型裝置的一種Sagnac磁場檢測系統,包括Sagnac磁場傳感器、磁塊組、窄帶光源、耦合器、PIN管、放大電路、采集卡和計算機,所述Sagnac磁場傳感器包括毛細血管、磁流體、保偏光纖、無芯光纖、第一單模光纖、第二單模光纖和第三單模光纖,所述第二單模光纖和第三單模光纖均伸入到所述毛細血管中,且所述無芯光纖固定安裝在所述第二單模光纖和第三單模光纖之間,所述毛細血管兩端密封,且所述磁流體填充在所述毛細血管中,所述保偏光纖固定安裝在所述第一單模光纖與所述第二單模光纖之間,所述第一單模光纖和第三單模光纖末端均接入到所述耦合器中,所述耦合器通過第四單模光纖與所述窄帶光源連接,所述耦合器還通過第五單模光纖與所述PIN管連接,所述PIN管輸依次與所述放大電路、所述采集卡和計算機連接,所述磁塊組包括上磁塊和下磁塊,所述毛細血管安裝在所述上磁塊和下磁塊之間。
進一步的技術方案,所述無芯光纖、所述第二單模光纖和第三單模光纖位于所述毛細血管中均去除涂覆層。
進一步的技術方案,所述窄帶光源的波長為1580nm。
本實用新型的有益效果是:
由于磁流體的磁致折變效應,隨著垂直于Sagnac磁場傳感器方向的外界磁場強度的增加,環繞無芯光纖的磁流體折射率減小,從而引起透射譜的干涉峰光強增加。選定由相應參數的PIN管接收將光信號轉換為電信號,然后經過放大電路處理輸出電壓信號。最后,由采集卡DAQ采集相應的電壓信號并在計算機上顯示。本實用新型制作簡單、操作方便、消光比穩定,而且無明顯的波長漂移,只有光強的改變。測得的測量值與真實值之間的誤差小。
附圖說明
為了更清楚地說明實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本實用新型的一種Sagnac磁場檢測系統的整體結構示意圖。
圖2是本實用新型的一種Sagnac磁場檢測系統的切割材料時的結構示意圖。
具體實施方式
本說明書中公開的所有特征,或公開的所有方法或過程中的步驟,除了互相排斥的特征和/或步驟以外,均可以以任何方式組合。
本說明書(包括任何附加權利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征,除非特別敘述,均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即,除非特別敘述,每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。
如圖1-2所示,本實用新型的一種Sagnac磁場檢測系統,包括Sagnac磁場傳感器、磁塊組、窄帶光源1、耦合器15、PIN管4、放大電路5、采集卡6和計算機7,所述Sagnac磁場傳感器包括毛細血管10、磁流體16、保偏光纖13、無芯光纖17、第一單模光纖14、第二單模光纖12和第三單模光纖8,所述第二單模光纖12和第三單模光纖8均伸入到所述毛細血管10中,且所述無芯光纖17固定安裝在所述第二單模光纖12和第三單模光纖8之間,所述毛細血管10兩端密封,且所述磁流體16填充在所述毛細血管10中,所述保偏光纖13固定安裝在所述第一單模光纖14與所述第二單模光纖12之間,所述第一單模光纖14和第三單模光纖8末端均接入到所述耦合器15中,所述耦合器15通過第四單模光纖2與所述窄帶光源1連接,所述耦合器15還通過第五單模光纖3與所述PIN管4連接,所述PIN管4輸依次與所述放大電路5、所述采集卡6和計算機7連接,所述磁塊組包括上磁塊11和下磁塊9,所述毛細血管10安裝在所述上磁塊11和下磁塊9之間。
有益地,所述無芯光纖17、所述第二單模光纖12和第三單模光纖8位于所述毛細血管10中均去除涂覆層。
有益地,所述窄帶光源1的波長為1580nm。
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