[實用新型]肖特基器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720655357.2
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN207009443U
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 陳茜;蔣建
• 申請（專利權(quán)）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

N型外延層，所述N型外延層中形成有多個第一溝槽以及位于所述多個第一溝槽外圍區(qū)域的第二溝槽；

氧化層，形成于所述第一溝槽及第二溝槽表面；

多晶硅，填充于所述第一溝槽及第二溝槽內(nèi)；

第三溝槽，去除所述第一溝槽內(nèi)的部分多晶硅及氧化層而成；

金屬硅化物，形成于所述第三溝槽的底部及側(cè)壁，以形成肖特基結(jié)；

導電材料，填充于所述第三溝槽內(nèi)；以及

上金屬電極結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化層的厚度為50nm～1000nm，所述多晶硅的摻雜濃度為10¹⁹～10²¹/cm³。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第三溝槽的深度為所述第一溝槽深度的0.2～0.8倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第三溝槽的深度為所述第一溝槽深度的0.5～0.6倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬硅化物的金屬材料包括Pt、Ni、Ti、Cr、W、Mo及Co中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導電材料包括Al層、AlCu層、AlSiCu層、TiN/AlSiCu/TiN/Ti/Ni/Ag疊層、TiN/AlSiCu疊層、TiN/AlCu/TiN/Ti/Ni/Ag疊層、TiN/AlCu疊層、TiN/AlSi疊層或TiN/Al疊層中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上金屬電極結(jié)構(gòu)包括：

介質(zhì)層，形成于所述N型外延層、所述第一溝槽及所述第二溝槽上；

金屬連線孔，形成于所述介質(zhì)層中；

電極材料，填充于所述金屬連線孔內(nèi)，所述電極材料包括Al層、AlCu層、AlSiCu層、TiN/AlSiCu/TiN/Ti/Ni/Ag疊層、TiN/AlSiCu疊層、TiN/AlCu/TiN/Ti/Ni/Ag疊層、TiN/AlCu疊層、TiN/AlSi疊層或TiN/Al疊層中的一種。