[實用新型]一種高導熱高出光的紫光封裝結構

有效

• 申請號: 201720649866.4
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN207338368U
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 楊帆
• 申請（專利權）人: 深圳市同一方光電技術有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/64
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 談杰

本實用新型公開了一種高導熱高出光的紫光封裝結構，包括AlN基板，所述AlN基板上設有一層氮化鋁絕緣導熱底層，所述AlN基板上焊接有兩組正負電極，所述氮化鋁絕緣導熱底層上焊接有均勻排布的DPC焊盤，所述DPC焊盤上安裝UV芯片，所述AlN基板背部為龜紋形狀的金屬焊接背鍍，所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上，其之間形成共晶焊接層，所述AlN基板的邊緣設有耐UV擋墻，本實用新型不需要進行二次組裝，而且本實用新型的結構設計結構簡單，成本較低。

技術領域

本實用新型涉及封裝技術領域，具體為一種高導熱高出光的紫光封裝結構。

背景技術

現有技術中對于紫光封裝結構是將單顆LED紫光UV波段，波長200～410nm晶片封裝為單顆LED燈珠光源，使用時再需根據需要將封裝好的單顆LED燈珠光源使用貼片工藝焊接在相應的基板上，此種結構的光源和基板是分開的，使用時需要進行二次組裝，因為紫光對靜電的敏感性特別高，所以在操作上比較復雜，費時費力，組裝的風險和成本都較高。

實用新型內容

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種高導熱高出光的紫光封裝結構，包括AlN基板，所述AlN基板上設有一層氮化鋁絕緣導熱底層，所述AlN基板上焊接有兩組正負電極，所述氮化鋁絕緣導熱底層上焊接有均勻排布的DPC焊盤，所述DPC焊盤上安裝UV芯片，所述AlN基板背部為龜紋形狀的金屬焊接背鍍，所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上，其之間形成共晶焊接層，所述AlN基板的邊緣設有耐UV擋墻。

作為本實用新型一種優選的技術方案，所述AlN基板通過錫膏回流焊接在熱電隔離直熱沉結構的銅基板上。

作為本實用新型一種優選的技術方案，所述耐UV擋墻采用耐UV材質。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

(1)本實用新型采用上述結構設計，其氮化鋁絕緣導熱底層的膨脹系數與UV芯片相當，在大電流的情況下，不會因為急劇膨脹二破壞芯片，這樣可以使用更高的電流密度。

(2)基板為AlN，導熱系數大于227W/M*K,可以讓封裝的COB光源迅速將熱導出去，整個封裝環境導熱系數會比常規方案高很多；

(3)3.UV芯片采用合晶粉共晶至基板上面，其之間形成的共晶層的厚度小于5um比常規的固晶膠鏈接熱阻低1個量級，即10倍左右，可以讓芯片的熱可以迅速的傳遞到基板上面；

(4)UV芯片為垂直出光制程，紫光能量從光源正面出去，減少光干涉以及光吸收引起的發熱；并且UV芯片處于N2保護的環境中而非硅膠中，即在腔體受熱時候不會膨脹拉扯金線，即光源可以使用在更高溫度環境下而不失效，不會受紫光分解出其他小分子而影響出光，即可以有更高的出光效率；

(5)AlN基板底部采用龜紋設計，熱可以更快產生薄膜躍遷效應，熱可以更快的躍遷出去，整各光源可以有更好的熱通道；

(6)該結構設計可以使整個光源可以SMT到一個直熱沉導熱系數398W/M*K的熱電隔離的銅板上面，而非通過導熱硅脂固定，導熱系數可以高20倍左右；本實用新型不需要進行二次組裝，而且本實用新型的結構設計結構簡單，成本較低。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為本實用新型金屬焊接背鍍的結構示意圖。

圖中：1-氮化鋁絕緣導熱底層；2-正負電極；3-DPC焊盤；4-UV芯片；5-共晶焊接層；6-耐UV擋墻；7-金屬焊接背鍍；8-AIN基板。

具體實施方式