[實用新型]一種觸摸屏用增透型防眩光防指紋膜有效
| 申請號: | 201720647062.0 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN207082090U | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發明(設計)人: | 潘中海;司榮美;劉彩風 | 申請(專利權)人: | 天津寶興威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;G02B1/11 |
| 代理公司: | 天津市新天方有限責任專利代理事務所12104 | 代理人: | 張強 |
| 地址: | 301800 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 觸摸屏 用增透型防 眩光 指紋 | ||
技術領域
本實用新型涉及觸摸屏技術領域,尤其涉及一種觸摸屏用增透型防眩光防指紋膜。
背景技術
觸摸屏已廣泛應用于智能手機、娛樂智能終端等方面,但是,傳統的觸摸屏減反射效果差,結構復雜,不利于普及使用。因此,需要從技術上作出改進。
實用新型內容
本實用新型旨在解決現有技術的不足,而提供一種觸摸屏用增透型防眩光防指紋膜。
本實用新型為實現上述目的,采用以下技術方案:
所述的一種觸摸屏用增透型防眩光防指紋膜,其特征在于,由下而上依次包括強化玻璃層、減反射膜層、防眩光防指紋膜層、防眩光防指紋膜層表面分布有納米顆粒。
優選地,減反射膜層為單層的氟化鎂膜。
優選地,減反射膜層包括交疊設置的高反射率介質層和低反射率介質層。
優選地,所述減反射膜層由強化玻璃層一側至防眩光防指紋膜層方向依次包括高反射率介質層、低反射率介質層、高反射率介質層、低反射率介質層。
優選地,所述高反射率介質層材料為五氧化三鈦,低反射率介質層的材料為改性二氧化硅。
優選地,所述高反射率介質層材料為五氧化二鈮,低反射率介質層的材料為二氧化硅。
優選地,所述納米顆粒為納米碳酸鈣顆粒。
優選地,所述納米顆粒為納米氧化鋯和/或納米氧化鋁。
優選地,防眩光防指紋膜層的厚度為30~40納米,低反射率介質層和高反射率介質層的厚度均為17~20納米,所述納米顆粒的粒徑范圍為0.6~0.9微米。
本實用新型的有益效果是:本實用新型通過設有交疊設置的高反射率介質層和低反射率介質,減反射效果大大提高;、在達到觸摸屏蓋板上所要求的減反射、防眩光、防指紋功能的同時,減少了觸摸屏蓋板上鍍制的膜層數量,結構簡化,生產工藝簡化。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
圖中:1-納米顆粒;2-防眩光防指紋膜層;3-低反射率介質層;4-高反射率介質層;5-強化玻璃層。
下將結合本實用新型的實施例參照附圖進行詳細敘述。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明:
如圖1所示,一種觸摸屏用增透型防眩光防指紋膜,其特征在于,由下而上依次包括強化玻璃層5、減反射膜層、防眩光防指紋膜層2、防眩光防指紋膜層2表面分布有納米顆粒1。防眩光防指紋膜層2由活性硅烷基團和氟改性有機基團制備得到,防眩光防指紋膜層2表面的純水接觸角能達到110°,油接觸角大于70°。
優選地,減反射膜層為單層的氟化鎂膜。
優選地,減反射膜層包括交疊設置的高反射率介質層4和低反射率介質層3。
優選地,所述減反射膜層由強化玻璃層5一側至防眩光防指紋膜層2方向依次包括高反射率介質層4、低反射率介質層3、高反射率介質層4、低反射率介質層3。
優選地,所述高反射率介質層4材料為五氧化三鈦,低反射率介質層3的材料為改性二氧化硅。
優選地,所述高反射率介質層4材料為五氧化二鈮,低反射率介質層3的材料為二氧化硅。
優選地,所述納米顆粒1為納米碳酸鈣顆粒。由于碳酸鈣光學性能較好,對可見光有較強的反射,并且對可見光的吸收衰減極低,納米碳酸鈣顆粒較小,可見光照射的顆粒上后99%的可見光都被均勻的散射到各個方向,能夠有效防止眩光的產生,又能夠保持顯示屏的清晰度。同時表面碳酸鈣顆粒又能夠將指紋的紋路盡量分散化,加強了防指紋效果。用于防眩光的散光劑納米碳酸鈣成本較低,光學性能優異,進一步降低生產成本,提高性價比。納米碳酸鈣顆粒物具有分散指紋的效果
優選地,所述納米顆粒1為納米氧化鋯和/或納米氧化鋁。
優選地,防眩光防指紋膜層2的厚度為30~40納米,低反射率介質層3和高反射率介質層4的厚度均為17~20納米,所述納米顆粒1的粒徑范圍為0.6~0.9微米。
所述改性二氧化硅系選用天然石英,經高溫熔煉,冷卻后的非晶態二氧化硅作為主要原料。改性二氧化硅中二氧化硅成分重量百分比為99.6~99.7;其余為金屬氧化物。金屬氧化物為三氧化二鋁、氧化鉀、氧化鈉、三氧化二鐵、氧化鈣或氧化鎂。本改性二氧化硅中含有多種金屬氧化物;具體來說,含有三氧化二鋁、氧化鉀、氧化鈉、三氧化二鐵、氧化鈣和氧化鎂;其中金屬氧化物中三氧化二鋁占90%以上;其他組份基本接近。該改性二氧化硅的密度為2.2g/cm3。
上面結合附圖對本實用新型進行了示例性描述,顯然本實用新型具體實現并不受上述方式的限制,只要采用了本實用新型的方法構思和技術方案進行的各種改進,或未經改進直接應用于其它場合的,均在本實用新型的保護范圍之內。
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