[實用新型]一種提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720641824.6
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN206758460U
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李西維;詹國彬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海東洋炭素有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/687
• 代理公司: 北京創(chuàng)遇知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11577
• 代理人: 李芙蓉,馮建基

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及石墨基座技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座。

背景技術(shù)

目前，隨著LED產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,其上游環(huán)節(jié)的LED外延片的技術(shù)和市場也發(fā)展迅速,其產(chǎn)能快速提升，技術(shù)水平不斷進步。LED外延片是指在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片上所生長出的特定單晶薄膜，其是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)含量最高、對最終產(chǎn)品品質(zhì)、成本控制影響最大的環(huán)節(jié)。藍(lán)綠光LED用于氮化鎵研究的襯底結(jié)構(gòu)比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底結(jié)構(gòu)只有三種，即藍(lán)寶石Al₂O₃、硅襯底和碳化硅SiC襯底。承載襯底的基座需要滿足以下要求：耐高溫、熱傳導(dǎo)率均勻、耐腐蝕、具有較強的抗熱應(yīng)力能力，故該基座一般都采用石墨基座。石墨基座具有很多個POCKET(口袋)，用于放置襯底。

現(xiàn)有的外延片機臺的襯底尺寸多從2英寸過渡到了4英寸，基本上都是使用具有14個直徑為4英寸的口袋的石墨基座。4＂外延片對外延工藝的要求更高，要求片內(nèi)波長均勻性較好，同時要求片間的波長均勻性也要好，故需要優(yōu)化外延工藝及SiC涂層的石墨基座，提高整爐外延片的波長均勻性。而現(xiàn)有的石墨基座多存在其外圈POCKET距離邊緣越近波長的均勻性越差的問題。

公開號為CN101775590A，名稱為“一種具有保護涂層的石墨基座及其制備方法”的中國發(fā)明專利文獻(xiàn)公開了一種具有保護涂層的石墨基座及其制備方法，其包括具有保護涂層的石墨基座，包括石墨基座基體表面外滲透有初級SiC涂層，在初級SiC涂層外沉積有一層二級SiC涂層。其同樣存在其外圈POCKET距離邊緣越近波長的均勻性越差的問題。

公開號為CN203760506U，名稱為“一種提高整體波長均勻性的石墨基座”的中國實用新型專利文獻(xiàn)公開了一種提高整體波長均勻性的石墨基座，包括基座體和多個口袋，口袋內(nèi)有臺階；多個口袋的臺階高度不同。其雖然可以提高藍(lán)寶石溫度的均勻性，但是其卻同樣存在無法對藍(lán)綠光LED實現(xiàn)提高外圈外延片整體的波長均勻性的問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座，用以解決現(xiàn)有的石墨基座所存在的外圈POCKET距離邊緣越近波長的均勻性越差的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座。具體地，該石墨基座包括如下結(jié)構(gòu)：

所述提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座，包括石墨基座盤面，石墨基座盤面上設(shè)置有口袋，口袋包括外圈口袋和內(nèi)圈口袋，外圈口袋位于內(nèi)圈口袋的外側(cè)；

外圈口袋包括第一外圈口袋和第二外圈口袋，第一外圈口袋的中心點位于第二外圈口袋的中心點的外側(cè)；

內(nèi)圈口袋包括第一內(nèi)圈口袋和第二內(nèi)圈口袋，第一內(nèi)圈口袋的中心點位于第二內(nèi)圈口袋的中心點的外側(cè)。

可選地，第一外圈口袋的數(shù)量為六個，第二外圈口袋的數(shù)量為四個；六個第一外圈口袋均勻?qū)ΨQ分布為四組：左側(cè)兩個為一組，右側(cè)兩個為一組，上側(cè)一個為一組，下側(cè)一個為一組；四個第二外圈口袋分別均勻?qū)ΨQ分布在相鄰的四組第一外圈口袋之間。

可選地，第一內(nèi)圈口袋與第二內(nèi)圈口袋均勻交錯分布。

可選地，相鄰的第一外圈口袋的中心點、第二外圈口袋的中心點與內(nèi)圈口袋的中心點之間的連線分別構(gòu)成等邊三角形。

可選地，相鄰的口袋之間的間隙≥1.2mm。

可選地，第一外圈口袋的邊緣與石墨基座盤面的邊緣之間的距離≥11mm。

可選地，第一外圈口袋的邊緣與石墨基座盤面的邊緣之間的距離為11.35mm。

可選地，第一外圈口袋的中心點所在的圓周與第二外圈口袋的中心點所在的圓周設(shè)置為同心結(jié)構(gòu)。

可選地，第一內(nèi)圈口袋的中心點所在的圓周與第二內(nèi)圈口袋的中心點所在的圓周設(shè)置為同心結(jié)構(gòu)。

可選地，第一外圈口袋的中心點所在的圓周和第二外圈口袋的中心點所在的圓周、第一內(nèi)圈口袋的中心點所在的圓周與第二內(nèi)圈口袋的中心點所在的圓周，及石墨基座盤面設(shè)置為同心結(jié)構(gòu)。

本實用新型方法具有如下優(yōu)點：

本實用新型的提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座，能夠解決現(xiàn)有的石墨基座所存在的外圈POCKET距離邊緣越近波長的均勻性越差的問題，其能夠提高整爐外延片的波長均勻性，提高外延片的性能及產(chǎn)量，適用于所有用于藍(lán)綠光LED外延片外延生長的MOCVD反應(yīng)室的石墨基座。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的SiC涂層石墨基座的口袋分布示意圖。

圖2是本實用新型的提高波長均勻性的SiC涂層石墨基座的口袋分布示意圖。