[實(shí)用新型]一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720638339.3
• 申請(qǐng)日: 2017-06-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206976338U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉麗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 成都漢芯國(guó)科集成技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/065
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/065;H01L23/488
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所(普通合伙)51124
• 代理人: 吳中偉

1.一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片，其特征在于，包括：位于頂層的Lange橋射頻芯片、位于中層的無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片以及位于底層的無(wú)源帶狀傳輸線芯片，所述Lange橋射頻芯片與所述無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片以及所述無(wú)源帶狀傳輸線芯片對(duì)位堆疊鍵合成一個(gè)整體：

所述Lange橋射頻芯片的背面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第一連接凸點(diǎn)(4)、第二連接凸點(diǎn)(5)和第三連接凸點(diǎn)(6)，位于下部位置的第四連接凸點(diǎn)(7)、第五連接凸點(diǎn)(8)和第六連接凸點(diǎn)(9)；所述無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的正面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第七連接凸點(diǎn)(10)和第九連接凸點(diǎn)(12)，位于下部位置的第十連接凸點(diǎn)(13)和第十二連接凸點(diǎn)(15)；在所述無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的上部位置和下部位置還分別設(shè)置有為雙面連接凸點(diǎn)的第八連接凸點(diǎn)(11)和第十一連接凸點(diǎn)(14)；

所述無(wú)源帶狀傳輸線芯片的正面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第十三連接凸點(diǎn)(16)、位于下部位置的第十四連接凸點(diǎn)(17)；

所述第一連接凸點(diǎn)(4)和第三連接凸點(diǎn)(6)分別與第七連接凸點(diǎn)(10)和第九連接凸點(diǎn)(12)對(duì)位鍵合；所述第四連接凸點(diǎn)(7)和第六連接凸點(diǎn)(9)分別與第十連接凸點(diǎn)(13)和第十二連接凸點(diǎn)(15)對(duì)位鍵合；

第八連接凸點(diǎn)(11)和第十一連接凸點(diǎn)(14)的正面分別與第二連接凸點(diǎn)(5)和第五連接凸點(diǎn)(8)對(duì)位鍵合；第八連接凸點(diǎn)(11)和第十一連接凸點(diǎn)(14)的背面分別與第十三連接凸點(diǎn)(16)和第十四連接凸點(diǎn)(17)對(duì)位鍵合。

2.如權(quán)利要求1所述的一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片，其特征在于，所述Lange橋射頻芯片采用共面波導(dǎo)和微帶線相結(jié)合的傳輸模式，其包括輸入端口(S1)、輸出端口(S2、S3)、接地端、交指耦合網(wǎng)絡(luò)、傳輸線電路；所述交指耦合網(wǎng)絡(luò)通過(guò)傳輸線電路連接輸入端口(S1)和輸出端口(S2、S3)；所述傳輸線電路為微帶線(18)；所述接地端通過(guò)設(shè)置于Lange橋射頻芯片背面對(duì)應(yīng)的接地凸點(diǎn)(20)鍵合到地，輸入端口(S1)和輸出端口(S2、S3)分別通過(guò)金絲鍵合連接輸入、輸出射頻電路。

3.如權(quán)利要求2所述的一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片，其特征在于，所述無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片包括兩路無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路，其中一路無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對(duì)應(yīng)連通第七連接凸點(diǎn)(10)和第九連接凸點(diǎn)(12)，第九連接凸點(diǎn)(12)通過(guò)金絲鍵合為一個(gè)有源射頻功能芯片提供直流饋電；另外一路無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對(duì)應(yīng)連通第十連接凸點(diǎn)(13)和第十二連接凸點(diǎn)(15)，第十二連接凸點(diǎn)(15)通過(guò)金絲鍵合為另一個(gè)有源射頻功能芯片提供直流饋電。

4.如權(quán)利要求3所述的一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片，其特征在于，在所述無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片上，以及無(wú)源帶狀傳輸線芯片與Lange橋射頻芯片的背面設(shè)置接地凸點(diǎn)(20)的對(duì)應(yīng)位置也均設(shè)置有接地凸點(diǎn)(21,22)，其中無(wú)源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片上的接地凸點(diǎn)(21)為雙面凸點(diǎn)，其正面與Lange橋射頻芯片上的接地凸點(diǎn)(20)對(duì)位鍵合，背面與無(wú)源帶狀傳輸線芯片上的接地凸點(diǎn)(22)對(duì)位鍵合。

5.如權(quán)利要求4所述的一種三層堆疊的Lange橋射頻芯片，其特征在于，所述無(wú)源帶狀傳輸線芯片的第十三連接凸點(diǎn)(16)和第十四連接凸點(diǎn)(17)之間集成帶狀線(19)，所述第十三連接凸點(diǎn)(16)、第十四連接凸點(diǎn)(17)分別通過(guò)金絲鍵合另外兩個(gè)有源射頻功能芯片的信號(hào)傳輸端，為L(zhǎng)ange橋射頻芯片射頻信號(hào)傳送垂直方向提供一路射頻信號(hào)連接路徑。