[實用新型]圖像傳感器芯片尺寸封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720637279.3
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN207068853U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設計）人: S·伯薩克
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業(yè)有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種圖像傳感器芯片尺寸封裝，其特征在于包括：

具有像素陣列的半導體晶圓；

穿過耦接在所述半導體晶圓上方的一個或多個層和所述半導體晶圓中的一者的第一腔，所述第一腔包括第一填充材料，其中所述一個或多個層和所述第一填充材料中的一者被平面化以形成所述第一填充材料的第一表面，所述第一填充材料的第一表面與所述一個或多個層的第一表面共面；以及

透明蓋，使用以下項中的一者被接合到所述第一填充材料上方以及所述一個或多個層上方：

所述透明蓋和鈍化氧化物之間的熔合接合；以及

所述透明蓋和抗反射涂層之間的熔合接合。

2.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中粘合劑不被用于將所述透明蓋接合到所述第一填充材料上方以及所述一個或多個層上方。

3.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述抗反射涂層(ARC)被耦接到所述鈍化氧化物上方。

4.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述抗反射涂層(ARC)被耦接到有機層上方。

5.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述一個或多個層通過化學機械拋光(CMP)被平面化。

6.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述第一填充材料包括氧化物。

7.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其特征在于還包括形成在所述透明蓋中的腔和透鏡中的一者。

8.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述圖像傳感器CSP包括多個堆疊的半導體晶圓。

9.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其特征在于還包括穿過所述一個或多個層和所述半導體晶圓中的一者的第二腔，并且所述第二腔用所述第一填充材料和第二填充材料中的一者填充。

10.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述第一填充材料的所述第一表面與和所述圖像傳感器CSP的濾色器陣列(CFA)相交的平面共面。

11.一種圖像傳感器芯片尺寸封裝CSP，其特征在于包括：

具有像素陣列的半導體晶圓；

穿過耦接在所述半導體晶圓上方的一個或多個層和所述半導體晶圓中的一者的第一腔，所述第一腔用填充材料填充，其中所述一個或多個層和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面，所述填充材料的第一表面與所述一個或多個層的第一表面共面；以及

透明蓋，通過所述填充材料上方的有機粘合劑接合到所述填充材料上方以及所述一個或多個層上方。

12.根據(jù)權利要求11所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述一個或多個層通過化學機械拋光(CMP)被平面化。

13.一種圖像傳感器芯片尺寸封裝(CSP)，包括：

具有像素陣列的半導體晶圓；

穿過耦接在所述半導體晶圓上方的一個或多個層和所述半導體晶圓中的一者形成的第一腔，所述第一腔用填充材料填充，其中所述一個或多個層和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面，所述填充材料的第一表面與所述一個或多個層的第一表面共面；以及

透明蓋，通過所述透明蓋的第一金屬化表面與耦接到所述半導體晶圓上方的金屬化層的接合被接合到所述填充材料上方以及所述一個或多個層上方。

14.根據(jù)權利要求13所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中粘合劑不被用于將所述透明蓋接合到所述填充材料上方以及所述一個或多個層上方。

15.根據(jù)權利要求13所述的圖像傳感器芯片尺寸封裝，其中所述第一金屬化表面包括在特定位置的氧化物，所述特定位置與包括在所述金屬化層中的氧化物的特定位置相對應。