[實用新型]一種兩層堆疊的耦合器射頻芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720637141.3 | 申請日: | 2017-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN206976328U | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉麗 | 申請(專利權(quán))人: | 成都漢芯國科集成技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所(普通合伙)51124 | 代理人: | 吳中偉 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 堆疊 耦合器 射頻 芯片 | ||
1.一種兩層堆疊的耦合器射頻芯片,其特征在于,包括:位于頂層的耦合器射頻芯片及位于底層的無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片,所述耦合器射頻芯片與所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片對位堆疊鍵合成一個整體:所述耦合器射頻芯片的背面上設(shè)計有位于上部位置的第一連接凸點(4)和第二連接凸點(5),位于下部位置的第三連接凸點(6)和第四連接凸點(7);所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的正面上設(shè)計有位于上部位置的第五連接凸點(8)和第六連接凸點(9),位于下部位置的第七連接凸點(10)和第八連接凸點(11);所述第一連接凸點(4)和第二連接凸點(5)分別與第五連接凸點(8)和第六連接凸點(9)對位鍵合;所述第三連接凸點(6)和第四連接凸點(7)分別與第七連接凸點(10)和第八連接凸點(11)對位鍵合。
2.如權(quán)利要求1所述的一種兩層堆疊的耦合器射頻芯片,其特征在于,所述耦合器射頻芯片采用共面波導(dǎo)和微帶線相結(jié)合的傳輸模式,其包括輸入端口(S1)、輸出端口(S2、S3)、接地端、耦合網(wǎng)絡(luò)、傳輸線電路;所述耦合網(wǎng)絡(luò)通過傳輸線電路連接輸入端口(S1)和輸出端口(S2、S3);所述傳輸線電路為微帶線(12);所述接地端通過設(shè)置于耦合器射頻芯片背面對應(yīng)的接地凸點(13)鍵合到地,輸入端口(S1)和輸出端口(S2、S3)分別通過金絲鍵合連接輸入、輸出射頻電路。
3.如權(quán)利要求2所述的一種兩層堆疊的耦合器射頻芯片,其特征在于,所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片包括兩路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路,其中一路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對應(yīng)連通第五連接凸點(8)和第六連接凸點(9),第六連接凸點(9)通過金絲鍵合為一個有源射頻功能芯片提供直流饋電;另外一路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對應(yīng)連通第七連接凸點(10)和第八連接凸點(11),第八連接凸點(11)通過金絲鍵合為另一個有源射頻功能芯片提供直流饋電。
4.如權(quán)利要求3所述的一種兩層堆疊的耦合器射頻芯片,其特征在于,在所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的正面與耦合器射頻芯片的背面設(shè)置接地凸點(13)的對應(yīng)位置也設(shè)置有接地凸點(14),無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的接地凸點(14)和耦合器射頻芯片的接地凸點(13)對位鍵合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





