[實用新型]一種可控延時重啟電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720633637.3
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN206742153U
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設計）人: 鄧健爽
• 申請（專利權）人: 廣州市勤思網(wǎng)絡科技有限公司
• 主分類號: H01H47/18
• 分類號: H01H47/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種可控延時重啟電路。

背景技術

延時電路在集成電路中的應用非常廣泛，精確的延時電路能夠改善集成電路的性能。特別是在存儲器應用中，對存儲單元進行讀寫等操作時，都需要延時電路實現(xiàn)時序控制。

實用新型內容

針對上述問題，本實用新型提供了一種可控延時重啟電路，為了實現(xiàn)上述目的本實用新型采用如下技術方案：

一種可控延時重啟電路，包括繼電器(K1B)、第一NPN三極管(Q1)、第二NPN三極管(Q2)以及N溝道MOS管(Q3)；

所述繼電器(K1B)的觸點接入控制電源，且其控制線圈一端通過第一二極管(D1)與控制電源電連接，另一端與所述第一NPN三極管(Q1)的集電極電連接；所述第一NPN三極管(Q1)發(fā)射極接地，基極通過第一電阻(R1)接地，并通過第二電阻(R2)與所述第二NPN三極管(Q2)的發(fā)射極電連接；所述第二NPN三極管(Q2)的集電極與控制電源電連接，基極通過第三電阻(R3)、第四電阻(R4)接地；一穩(wěn)壓二極管(D2)的正極電連接于所述第三電阻(R3)、第四電阻(R4)之間，負極通過電解電容(C1)接地，所述電解電容(C1)的正極還通過第五電阻(R5)電連接于控制電源；所述N溝道MOS管(Q3)的源極接地，漏極通過第六電阻(R6)電連接于所述電解電容(C1)與所述第五電阻(R5)之間，柵極與高電平控制端電連接。

優(yōu)選的，所述N溝道MOS管(Q3)的柵極通過第二電容(C2)接地。

優(yōu)選的，所述N溝道MOS管(Q3)的柵極通過第七(R7)接地。

優(yōu)選的，所述N溝道MOS管(Q3)的柵極通過第四二極管(D4)與所述高電平控制端電連接。

優(yōu)選的，所述N溝道MOS管(Q3)的柵極通過第八電阻(R8)與所述高電平控制端電連接。

優(yōu)選的，還包括第三二極管(D3)，所述第三二極管(D3)的正極電連接于所述第五電阻(R5)、第六電阻(R6)之間，負極與控制電源電連接。

優(yōu)選的，還包括跳帽接頭，所述跳帽接頭的一腳與控制電源電連接，另一腳電連接于所述第一NPN三極管(Q1)、第二NPN三極管(Q2)之間。

本實用新型提供的可控延時重啟電路結構簡單，能夠保證延時電路產生高精度延時。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本實用新型的不當限定，在附圖中：

圖1是本實用新型實施例電路原理圖。

具體實施方式

下面將結合附圖以及具體實施例來詳細說明本實用新型，在此本實用新型的示意性實施例以及說明用來解釋本實用新型，但并不作為對本實用新型的限定。

實施例：

如圖1所示，一種可控延時重啟電路，包括繼電器K1B、第一NPN三極管Q1、第二NPN三極管Q2以及N溝道MOS管Q3；所述繼電器K1B采用HF152F-012-1HS，其觸點接入控制電源，且其控制線圈一端通過第一二極管D1與控制電源電連接，另一端與所述第一NPN三極管Q1的集電極電連接；所述第一NPN三極管Q1發(fā)射極接地，基極通過第一電阻R1接地，并通過第二電阻R2與所述第二NPN三極管Q2的發(fā)射極電連接；所述第二NPN三極管Q2的集電極與控制電源電連接，基極通過第三電阻R3、第四電阻R4接地，其中所述第一NPN三極管Q1與所述第二NPN三極管Q2都采用MMBTA42；一穩(wěn)壓二極管D2的正極電連接于所述第三電阻R3、第四電阻R4之間，負極通過電解電容C1接地，所述電解電容C1的正極還通過第五電阻R5電連接于控制電源；所述N溝道MOS管Q3采用SI2300，其源極接地，漏極通過第六電阻R6電連接于所述電解電容C1與所述第五電阻R5之間，柵極與高電平控制端電連接。

通過上述實施例方案，以控制電源的輸出接連接器CN2的1腳作為高電平控制端，輸出高電平使N溝道MOS管Q3導通，導通后控制電源通過第六電阻R6為電解電容C1充電，再使第二NPN三極管Q2、第一NPN三極管Q1產生電流，從而達到延時控制繼電器重啟電路的目的。

作為上述實施例方案的改進，還為高電平控制信號整形，包括：

所述N溝道MOS管Q3的柵極通過第二電容C2接地；作為上述實施例方案的改進，所述N溝道MOS管Q3的柵極通過第七R7接地；作為上述實施例方案的改進，所述N溝道MOS管Q3的柵極通過第四二極管D4與所述高電平控制端電連接；作為上述實施例方案的改進，所述N溝道MOS管Q3的柵極通過第八電阻R8與所述高電平控制端電連接。