[實用新型]一種半導體單晶碳化硅微波燒結爐

有效

• 申請號: 201720631315.5
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN206755858U
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 賴國霞;魏凡詳;武銳鋒
• 申請（專利權）人: 廣東石油化工學院
• 主分類號: F27B5/00
• 分類號: F27B5/00;F27B5/14;F27D11/00;H05B6/66
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司44218
• 代理人: 潘麗君

1.一種半導體單晶碳化硅微波燒結爐，包括爐體（1）和爐蓋（2），所述爐體（1）和爐蓋（2）之間形成加熱腔，所述加熱腔內活動設置有陶瓷材質的壓力反應罐（3），所述壓力反應罐（3）包括罐體（17）和罐蓋（8），所述罐蓋（8）通過設置在罐體（17）口部兩側的限位螺絲（9）活動卡入罐體（17）的口部，其特征在于：所述壓力反應罐（3）的表面涂覆有諧振型吸波材料層，所述爐體（1）的壁部環繞設置有若干第一加熱器（13），所述爐蓋（2）底部中心設有第二加熱器（7），所述第一加熱器（13）與所述第二加熱器（7）均為磁控管，所述磁控管與同一變頻式微波磁控管電源并聯連接，所述壓力反應罐（3）中心徑向貫穿設有加熱通道（10），所述爐蓋（2）下方的磁控管活動嵌入所述加熱通道（10）內部；所述變頻式微波磁控管電源包括變頻器、變壓器和磁控管供電電路；所述變頻器的輸出端與所述變壓器的輸入端連接，所述變壓器的輸出端與所述磁控管供電電路的輸入端連接，所述磁控管供電路的輸出端與所述變頻器的反饋端連接。

2.根據權利要求1所述的半導體單晶碳化硅微波燒結爐，其特征在于：所述爐體（1）底部和所述爐蓋（2）的內壁設有微波防護層（14），所述微波防護層（14）內壁設置有匹配型吸波材料層，所述匹配型吸波材料層為泡沫吸收材料、涂層吸收材料或塑料板吸收材料。

3.根據權利要求2所述的半導體單晶碳化硅微波燒結爐，其特征在于：所述變壓器為非晶變壓器、鐵氧體變壓器或合金變壓器；所述磁控管為脈沖式磁控管或連續式磁控管。

4.根據權利要求2所述的半導體單晶碳化硅微波燒結爐，其特征在于：所述磁控管供電電路由陰極直流負高壓產生電路、燈絲電壓產生電路和磁控管狀態監測電路構成。