[實用新型]集成電路抗地彈干擾復位電路

有效

• 申請號: 201720617195.3
• 申請日: 2017-05-30
• 公開（公告）號: CN206850747U
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 施紅妹;張珂
• 申請（專利權）人: 施紅妹;張珂
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 石家莊德皓專利代理事務所(普通合伙)13129
• 代理人: 齊軍彩,楊瑞龍

技術領域

本實用新型涉及電子電路技術領域，尤其涉及一種集成電路抗地彈干擾復位電路。

背景技術

半導體集成電路內部電源與地線之間存在退耦合電容，電路板上的電源與半導體集成電路封裝管殼電源之間存在封裝電感，封裝管殼電源和半導體集成電路內部電源之間存在片上寄生電感，電路板上的地線與半導體集成電路封裝管殼地線之間存在封裝電感。當開關不斷的左右切換時，半導體集成電路的電源線與電路板上的地線中有較大的瞬態電流變化，這一瞬態電流經過封裝電感產生較大的交流電壓差波動，將造成半導體集成電路內部電源與內部地線電壓、半導體集成電路內部電源與電路板上的電源與地線電壓不同。這一現象叫做地彈效應，此效應在電源與地線中引入了地彈噪聲。

低頻時，地噪聲主要是因為構成地線的導體等效為電阻，電路系統的電流都要流經地線而產生的電勢差波動。高頻時，地噪聲主要是因為構成地線的導體等效為電感，電路系統的電流快速變化地經過這個等效電感時，等效電感兩端激發出更強的電壓擾動。

由于地彈效應使地線電壓升高、電源線電壓降低，在電路工作的過程中使輸出管的柵源電壓減小，從而使驅動電流按平方率減小，大大減弱了輸出電路性能。當輸出電路驅動TTL電路時，由于地線電壓的升高與電源線電壓的降低，使輸出電路輸出的低電平信號與高電平信號達不到TTL電平的要求，從而產生邏輯錯誤。更為嚴重的是，由于地線長長地延伸到電路板的邊緣，像一根發射天線一樣不斷地向外輻射“地噪聲”。上述各種情況，將導致電路板上的各種控制電路出現反復復位的問題。

實用新型內容

本實用新型針對現有技術的不足，提出一種集成電路抗地彈干擾復位電路，解決了外部設備反復復位的問題。

為實現上述目的，本實用新型采用如下的技術方案：一種集成電路抗地彈干擾復位電路，包括：控制電路、抑制地彈噪聲電路、復位電路；

所述抑制地彈噪聲電路與復位電路連接，對復位信號做抗地彈效應處理；

所述復位電路與控制電路連接，提供抗地彈效應的復位信號，保證控制電路正常復位。

優選地，所述控制電路為OMAP3630。

優選地，所述復位電路包括分壓器、第一電容(C1)、反相器74LS04，所述分壓器由第一電阻(R1)、第二電阻(R2)組成，所述第一電容(C1)一端接地，另一端與第二電阻(R2)的一端電連接，所述第一電阻(R1)一端連接外部電源、控制電路電源管腳，另一端與第二電阻(R2)、反相器74LS04電連接，第一電阻(R1)還與抑制地彈噪聲電路并聯連接，反相器74LS04輸出復位信號至控制電路。

優選地，所述抑制地彈噪聲電路包括肖特基二極管IN5818、第三電阻(R3)、第二電容(C2)，所述肖特基二極管IN5818與第三電阻(R3)電連接，串聯的肖特基二極管IN5818、第三電阻(R3)與第二電容(C2)并聯電連接。

本實用新型的有益效果：本實用新型的集成電路抗地彈干擾復位電路，(一)分壓電路中的第二電阻(R2)作為匹配電阻，使與電路板、半導體集成電路的地平面形成的等效電阻相匹配，消除了電路板、控制電路地彈效應；(二)抑制地彈噪聲電路中的第二電容(C2)作為去耦電容，使與電路板上的電源、半導體集成電路所形成的等效噪聲信號源相匹配，顯著地消除了電路板、控制電路地彈效應；(三)抑制地彈噪聲電路中的第三電阻(R3)降低復位電路對電源電壓的敏感性，肖特基二極管在強干擾造成邏輯錯誤的頻繁開關電源時可以穩定復位信號電壓，避免了外部設備因地彈效應導致的反復復位。

附圖說明

用附圖對本實用新型作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本實用新型的任何限制。

圖1是本實用新型集成電路抗地彈干擾復位電路一實施例結構示意圖。

圖2是本實用新型集成電路抗地彈干擾復位電路一實施例電路示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖與實施例對本實用新型作進一步的說明，這是本實用新型的較佳實施例。

如圖1、2所示，本實用新型的一種集成電路抗地彈干擾復位電路，包括：控制電路OMAP3630、抑制地彈噪聲電路、復位電路；抑制地彈噪聲電路與復位電路連接，對復位信號做抗地彈效應處理；復位電路與控制電路連接，提供抗地彈效應的復位信號，保證控制電路正常復位。