[實用新型]一種高強度的裸芯片

有效

• 申請號: 201720612804.6
• 申請日: 2017-05-30
• 公開（公告）號: CN206742232U
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 鄒時晨
• 申請（專利權）人: 鄒時晨
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高強度的裸芯片，一面為鋁電極，另一面為非鋁電極，其特征在于，還包括基體層，所述鋁電極和非鋁電極分別設置于所述基體層的兩側，所述基體層設置有縱橫交錯的加強筋；所述基體層的2根以上的加強筋從所述基體層的周側伸出呈支撐臂狀。

2.如權利要求1所述高強度的裸芯片，其特征在于，所述加強筋從所述基體層的中部向周側的外部伸出，所述加強筋為金屬制成的加強筋。

3.如權利要求1所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述鋁電極至少包括三層金屬層：底層鋁層、中間金層、上層鋁層，所述中間金層位于中間層，所述中間金層的厚度在5um以上。

4.如權利要求3所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述中間金層與底層鋁層和上層鋁層的交界面分別設置有凹凸度為1～2um的凹坑和凸起，所述鋁層的鋁和金層的金交錯填平所述凹坑和凸起。

5.如權利要求3所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述中間金層與所述上層鋁層交界處的金的晶粒直徑為5～100nm，其中，晶粒直徑為5～10nm的晶粒的體積分數在3％以上。

6.如權利要求3所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述中間金層與所述底層鋁層交界處的鋁的晶粒直徑為15～100nm，其中，晶粒直徑為10～15nm的晶粒的體積分數在5％以上。

7.如權利要求3所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述中間金層與所述上層鋁層交界處的厚度為2～2.5um。

8.如權利要求3所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述中間金層與所述底層鋁層交界處的厚度為2～2.5um。

9.如權利要求1所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述基體層的主體 材料為硅。

10.如權利要求9所述的高強度的裸芯片，其特征在于，所述加強筋為銅與硅的化合物制成的加強筋。