[實用新型]外設插入檢測電路及終端設備有效
| 申請號: | 201720610892.6 | 申請日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN206726209U | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 張若尋;黃業桃;葉華林 | 申請(專利權)人: | 北京瘋景科技有限公司;北京小米移動軟件有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/40 | 分類號: | G06F13/40;G06F13/42 |
| 代理公司: | 北京尚倫律師事務所11477 | 代理人: | 代治國 |
| 地址: | 100041 北京市石景*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 外設 插入 檢測 電路 終端設備 | ||
技術領域
本公開涉及通信技術領域,尤其涉及外設插入檢測電路及終端設備。
背景技術
終端設備中是通過主控芯片控制對應的電路對通用串行總線(Universal Serial Bus,簡稱為:USB)接口中插入的外設進行充電或數據傳輸操作,因此,需要通知主控芯片USB接口中是否插入外設。目前,終端設備中會將USB供電電壓輸入至主控芯片的輸入端,以讓主控芯片根據輸入端輸入的電壓值確定USB接口中是否插入外設。
實用新型內容
為克服相關技術中存在的問題,本公開實施例提供外設插入檢測電路及終端設備。所述技術方案如下:
根據本公開實施例的第一方面,提供一種外設插入檢測電路,包括:
第一控制電路的一端與外設連接接口相連接,所述第一控制電路的另一端與第二控制電路相連接,所述第一控制電路用于根據所述外設連接接口中是否插入外設而向所述第二控制電路發送對應的第一控制信號;
所述第二控制電路的另一端和主控芯片相連接,所述第二控制電路用于根據接收到的所述第一控制信號向所述主控芯片輸入對應的第二控制信號,以使所述主控芯片根據所述第二控制信號判斷所述外設連接接口中是否插入外設。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:設置第一控制電路和第二控制電路,第一控制電路分別與外設連接接口和第二控制電路相連接,第一控制電路用于根據外設連接接口中是否插入外設而向第二控制電路發送對應的第一控制信號;第二控制電路分別與電源和主控芯片相連接,第二控制電路用于根據接收到的第一控制信號向主控芯片輸入對應的第二控制信號,以使主控芯片根據第二控制信號判斷外設連接接口中是否插入外設。通過上述的結構可以有效提升主控芯片使用的安全性和可靠性。
在一個實施例中,所述第一控制電路包括:三極管;
所述三極管的基極與所述外設連接接口的電源引腳相連接;
所述三極管的發射極接地;
所述三極管的集電極與所述第二控制電路相連接。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過三極管實現對外設連接接口中插入外設的檢測,有效提升了電路的可靠性。
在一個實施例中,所述第二控制電路包括:場效應晶體管和電源;
所述場效應晶體管的源極與所述電源相連接,所述場效應晶體管的柵極與所述三極管的集電極相連接,所述場效應晶體管的漏極與所述主控芯片的輸入端相連接。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過場效應晶體管結合電源和三極管的輸入信號確定向主控芯片輸出的第二控制信號,從而主控芯片可以根據第二控制信號確定外設連接接口中是否插入外設,有效提升了主控芯片的可靠性。
在一個實施例中,所述第一控制電路還包括:第一分壓電阻和第二分壓電阻;
所述第一分壓電阻的一端與所述外設連接接口中的電源引腳相連接,所述第一分壓電阻的另一端分別與所述第二分壓電阻的一端和所述三極管的基極相連接,所述第二分壓電阻的另一端接地。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過使用第一分壓電阻和第二分壓電阻,提升了三極管的可靠性。
在一個實施例中,所述第二控制電路還包括:第一電阻;
所述第一電阻的一端與所述場效應晶體管的源極相連接;所述第一電阻的另一端與所述場效應晶體管的柵極相連接。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過設置第一電阻,提升了場效應晶體管的可靠性。
在一個實施例中,所述電路還包括:第二電阻;
所述第二電阻連接在所述場效應晶體管的漏極和所述主控芯片的輸入端之間,且所述第二電阻的一端與所述場效應晶體管的漏極相連接;所述第二電阻的另一端與所述主控芯片的輸入端相連接。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過設置第二電阻,提升了主控芯片的可靠性。
在一個實施例中,所述還包括:第三電阻;
所述第三電阻的一端與所述主控芯片的輸入端相連接;所述第三電阻的另一端接地。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:通過設置第三電阻,當外設連接接口中未插入外設時,可確保主控芯片的輸入端處于低電平,避免出現誤判。
在一個實施例中,所述三極管為NPN,所述場效應晶體管為:增強型PMOS場效應晶體管。
根據本公開實施例的第二方面,提供一種終端設備,包括如上述任一實施例所述的外設插入檢測電路。
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