[實(shí)用新型]一種矩形芯子光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720604246.9 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN207067443U | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 藺博;孫將 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司電子科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02 |
| 代理公司: | 工業(yè)和信息化部電子專利中心11010 | 代理人: | 田衛(wèi)平 |
| 地址: | 100041 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 矩形 芯子 光纖 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及微結(jié)構(gòu)光纖領(lǐng)域,特別是涉及一種矩形芯子光纖。
背景技術(shù)
隨著光纖激光器和放大器在工業(yè)、國防、科學(xué)研究、醫(yī)療等方面的推廣與發(fā)展,對于大功率激光源的需求越來越多。輸出功率千瓦量級的連續(xù)波光纖激光系統(tǒng)和峰值功率為兆瓦量級的短脈沖光纖激光器將逐漸成為未來工業(yè)、國防、科學(xué)研究、醫(yī)療等行業(yè)的必備工具。這些應(yīng)用領(lǐng)域要求光纖激光源具有更高的輸出功率、緊湊的結(jié)構(gòu)和更低的成本。但是,非線性現(xiàn)象和模式不穩(wěn)定現(xiàn)象成為了制約光纖激光源功率的提升的限制因素。而通過模場面積擴(kuò)展和單模操作可以抑制這些不利因素。
近年來,研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了許多大模場面積光纖,但是大部分的大模場面積光纖都有一定的制約因素存在,比如結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制造難度大、彎曲特性差等,使得這些光纖在實(shí)際應(yīng)用中受到限制。基于傳統(tǒng)的光纖制造技術(shù)生產(chǎn)的階躍型光纖的數(shù)值孔徑一般大于0.06,為了同時(shí)保證大有效模場面積和單模傳輸,需要通過彎曲抑制纖芯中的高階模式,基于此方法理論上可實(shí)現(xiàn)的模場面積極限約為370μm2;利用改進(jìn)的光纖制造技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)超低數(shù)值孔徑的光纖,其數(shù)值孔徑可低至0.038,可以實(shí)現(xiàn)750μm2的模場面積,但是這種光纖的制造工藝被少數(shù)國外研究機(jī)構(gòu)所掌握,難以在我國進(jìn)行學(xué)習(xí)推廣。摒棄階躍折射率分布,采用全新的導(dǎo)光機(jī)制,可實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大模場面積的同時(shí)得到單模輸出,例如:光子帶隙光纖(photonic bandgap fiber,簡稱為PBGF)、光子晶體光纖(photonic crystal fiber,簡稱為PCF)、泄漏通道型光纖(leakage channel fiber,簡稱為LCF)、和螺旋芯光纖(chirally-coupled-core fiber,簡稱為CCCF)等。這類光纖具有較大的模場面積和較好的高階模式抑制能力,但是此類光纖制造工藝復(fù)雜,需要精確的堆棒和拉絲工藝。近年來提出的低折射率多層溝壑型光纖(MTF)具有易于制造的特點(diǎn)和較好的高階模式抑制能力,但在彎曲的情況下模場面積小于800μm2,模場面積較小。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種矩形芯子光纖,用以解決現(xiàn)有技術(shù)的如下問題:現(xiàn)有大模場面積光纖制造工藝較為復(fù)雜,不利于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn),且光纖模場面積有待進(jìn)一步提高,傳輸性能較差。
為解決上述技術(shù)問題,一方面,本實(shí)用新型提供一種矩形芯子光纖,包括:橫截面為矩形的纖芯、橫截面邊界形狀為矩形的溝壑層、橫截面邊界形狀為矩形的折射率緩沖層和外包層;其中,所述溝壑層的數(shù)量大于等于2;所述溝壑層的折射率小于預(yù)設(shè)折射率,其中,所述預(yù)設(shè)折射率為所述纖芯、所述折射率緩沖層和所述外包層中最小的折射率。
可選的,所述外包層的橫截面邊界形狀為矩形。
可選的,所述外包層與所述溝壑層的折射率差值的絕對值大于0.001。
可選的,所述外包層與所述折射率緩沖層的折射率差值的絕對值小于0.001。
可選的,所述外包層與所述折射率緩沖層的折射率相同。
可選的,所述纖芯、所述折射率緩沖層和所述外包層的折射率均相同。
可選的,所述外包層與所述纖芯的折射率差值的絕對值小于0.0005。
可選的,所述纖芯長邊邊長為短邊邊長的2倍。
可選的,各個(gè)所述溝壑層的厚度相等,和/或,各個(gè)所述折射率緩沖層的厚度相等。
本實(shí)用新型矩形芯子光纖的纖芯、溝壑層和折射率緩沖層都是具有矩形的結(jié)構(gòu),使得光纖在彎曲的情況下具有較大的基模模場面積,溝壑層的折射率是光纖中各個(gè)介質(zhì)中折射率最小的,使得纖芯中的高階模式具有較大的傳輸損耗,基模傳輸性能較好,且制造工藝可以采用現(xiàn)有的簡單光纖工藝制造,制造過程簡單,解決了現(xiàn)有技術(shù)的如下問題:現(xiàn)有大模場面積光纖制造工藝較為復(fù)雜,不利于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn),且光纖模場面積有待進(jìn)一步提高,傳輸性能較差。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例中外包層為圓形的矩形芯子光纖的橫截面示意圖;
圖2是圖1中實(shí)施例矩形芯子光纖在彎曲和非彎曲時(shí)橫截面AA’線上的折射率分布曲線;
圖3是圖1中實(shí)施例矩形芯子光纖在彎曲和非彎曲時(shí)橫截面BB’線上的折射率分布曲線。
圖4是外包層為矩形、溝壑層層數(shù)為3時(shí)的矩形芯子光纖的橫截面示意圖。
圖5是外包層為矩形、溝壑層層數(shù)為4時(shí)的矩形芯子光纖的橫截面示意圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子科技集團(tuán)公司電子科學(xué)研究院,未經(jīng)中國電子科技集團(tuán)公司電子科學(xué)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720604246.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





