[實(shí)用新型]一種太陽能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720595860.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207038534U | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐慷;李洋;唐旭東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/0236 | 分類號(hào): | H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 合肥市浩智運(yùn)專利代理事務(wù)所(普通合伙)34124 | 代理人: | 王志興 |
| 地址: | 23200*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽能電池。
背景技術(shù)
太陽能電池又稱為“太陽能芯片”或“光電池”,是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被滿足一定照度條件的光照到,瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。在物理學(xué)上稱為太陽能光伏(Photovoltaic,縮寫為PV),簡(jiǎn)稱光伏。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。現(xiàn)有的太陽能電池普遍光能吸收差,效率低,基于此,現(xiàn)研究一種太陽能電池,很好的解決了這個(gè)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種太陽能電池。
本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種太陽能電池,包括基板,所述基板上表面設(shè)有正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)為若干個(gè)均勻分布于基板上端且表面為熱氧化鈍化硅。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)包括氟化鎂反射層,所述氟化鎂反射層位于正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)表面。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,還包括硫化鋅反射層,所述硫化鋅反射層位于氟化鎂反射層下部。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,還包括氧化層,所述氧化層位于氟化鎂反射層下部。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板為N型硅基板。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板上端設(shè)有非晶硅薄膜層。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板下端設(shè)有非晶硅薄膜層。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板上端設(shè)有雙上電極,下端設(shè)有對(duì)應(yīng)的雙背電極。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述雙上電極與雙背電極均分別埋入基板上端與下端狹窄槽內(nèi)。
本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型采用金字塔結(jié)構(gòu)增加吸收光線的效率,搭配氟化鎂與硫化鋅雙重反射層的涂布來增加光線吸收,可增加3%的電流,基板上下兩端設(shè)有非晶硅薄膜層避免移動(dòng)載流子在邊界復(fù)合,提高轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作詳細(xì)說明,本實(shí)施例在以本實(shí)用新型技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施,給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
參見圖1:一種太陽能電池,包括基板(1),所述基板(1)上表面設(shè)有正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)(2),增加吸收光的效率。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)(2)為若干個(gè)均勻分布于基板(1)上端且表面為熱氧化鈍化硅,進(jìn)一步提高吸收光的效率。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)(2)包括氟化鎂反射層(201),所述氟化鎂反射層(201)位于正金字塔型吸收光結(jié)構(gòu)(2)表面,增加光線吸收。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,還包括硫化鋅反射層(202),所述硫化鋅反射層(202)位于氟化鎂反射層(201)下部,增加光線吸收。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,還包括氧化層(203),所述氧化層(203)位于氟化鎂反射層(201)下部,提高轉(zhuǎn)換效率,降低反向飽和電流。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板(1)為N型硅基板。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板(1)上端設(shè)有非晶硅薄膜層(3)。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板(1)下端設(shè)有非晶硅薄膜層(3)。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述基板(1)上端設(shè)有雙上電極(4),下端設(shè)有對(duì)應(yīng)的雙背電極(5)。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一,所述雙上電極(4)與雙背電極(5)均分別埋入基板(1)上端與下端狹窄槽內(nèi)。
本實(shí)用新型采用金字塔結(jié)構(gòu)增加吸收光線的效率,搭配氟化鎂與硫化鋅雙重反射層的涂布來增加光線吸收,可增加3%的電流,基板上下兩端設(shè)有非晶硅薄膜層避免移動(dòng)載流子在邊界復(fù)合,提高轉(zhuǎn)換效率。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





