[實用新型]一種蒸鍍速率測量裝置

有效

• 申請號: 201720593449.2
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN207002834U
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 高峰;王衛衛;何麟
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250
• 代理人: 張建綱

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體涉及一種蒸鍍速率測量裝置。

背景技術

蒸鍍是一種將待成膜物質置于真空中進行蒸發或升華，使之在工件或基片表面析出的工藝，一般通過蒸鍍機來實現。蒸鍍機包括用于進行蒸鍍的真空腔室，以及設置在真空腔室內的容納待成膜物質(蒸發源)的坩堝，坩堝具體可以包括鍋體和鍋體上的噴嘴，待成膜物質蒸發或升華后通過噴嘴析出在工件或基片表面。

為了獲得厚度均勻的蒸鍍膜層，蒸鍍機一般還設置有膜厚計。現有的膜厚計一般只檢測一個預設噴頭的蒸鍍速率并將其作為蒸發源的整體蒸鍍速率。然而由于多種原因，比如每個坩堝的實際溫度可能是不同的，每個噴頭的構造可能存在誤差，導致每個蒸發源的實際蒸鍍速率可能是有差別的。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題在于，現有的膜厚計一般只檢測一個預設噴頭的蒸鍍速率并將其作為蒸發源的整體蒸鍍速率，而每個蒸發源的實際蒸鍍速率可能是有差別的。

為此，本實用新型實施例提供了一種蒸鍍速率測量裝置，包括：

至少一個可移動蒸鍍速率測量探頭，用于監控至少一個蒸發源的蒸鍍速率。

可選的，還包括：基板固定單元，用于固定被蒸鍍的基板；所述基板固定單元與所述蒸鍍速率測量探頭的移動區域錯開。

可選的，所述基板固定單元設置在所述蒸發源的正上方；所述蒸鍍速率測量探頭的移動區域設置在所述蒸發源的側上方。

可選的，所述基板固定單元設置在所述蒸發源的側上方；所述蒸鍍速率測量探頭的移動區域設置在所述蒸發源的正上方。

可選的，所述蒸鍍速率測量探頭與所述基板固定單元基本共面。

可選的，還包括：蒸發源溫度測量單元，用于實時測量所述蒸發源的溫度；蒸鍍速率測量探頭移動控制單元，用于根據測量的所述溫度控制所述蒸鍍速率測量探頭的移動。

可選的，所述至少一個蒸發源組成線性蒸發源組。

可選的，還包括：固定蒸鍍速率測量探頭，設置在所述線性蒸發源組的兩端。

可選的，所述至少一個可移動蒸鍍速率測量探頭，用于在所述線性蒸發源組的兩端之間，平行于所述線性蒸發源組移動。

本實用新型實施例的蒸鍍速率測量裝置，通過所述可移動蒸鍍速率測量探頭，可實現對多個蒸發源的蒸鍍速率的測量，從而實現對整體蒸鍍速率的準確測量；進一步的，通過將所述可移動蒸鍍速率測量探頭的移動區域與基板固定單元錯開，避免了對基板的正常蒸鍍的影響；進一步的，通過所述蒸鍍速率測量探頭與所述基板固定單元基本上共面，提高了速率測量的準確度。

附圖說明

通過參考附圖會更加清楚的理解本實用新型的特征和優點，附圖是示意性的而不應理解為對本實用新型進行任何限制，在附圖中：

圖1示出了本發明實施例的蒸鍍速率測量裝置的示意圖；

圖2示出了本發明實施例的蒸鍍速率測量裝置的俯視圖；

圖3示出了本發明實施例的蒸鍍速率測量裝置的側視圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本實用新型的實施例進行詳細描述。

如圖1所示，本發明實施例提供了一種蒸鍍速率測量裝置，包括：

至少一個可移動蒸鍍速率測量探頭1，用于監控至少一個蒸發源2的蒸鍍速率。

具體的，所述蒸鍍速率測量探頭可以但不限于是晶振探頭；所述蒸鍍速率測量探頭的移動可以通過預先設置的導軌實現；蒸發源的選擇可以根據實際需要進行選擇，圖1中所示的三排線性蒸發源僅是舉例，實際蒸發源的選擇不限于此。

本發明實施例的蒸鍍速率測量裝置，通過可移動蒸鍍速率測量探頭，可實現對多個蒸發源的蒸鍍速率的測量。

在另一個實施例中，為了避免移動的蒸鍍速率測量探頭對基板的正常蒸鍍造成不利影響，可以對蒸鍍速率測量探頭的移動區域進行限制。例如，可將蒸鍍速率測量探頭的移動區域與用于固定被蒸鍍基板的基板固定單元錯開，以避免探頭阻擋蒸發源到該基板的蒸鍍。具體地，可以將基板設置在蒸發源的側上方，蒸鍍速率測量探頭的移動區域限制在蒸發源的正上方，如圖2、圖3所示，探頭可沿虛線所示的探頭移動路徑移動，其下方是蒸發源(例如線性蒸發源，簡稱線源)，基板A和B在蒸發源的側上方，所以基板固定單元也在蒸發源的側上方；或者，也可以將蒸鍍速率測量探頭的移動區域限制在蒸發源的側上方，將基板固定單元設置在蒸發源的正上方。