[實用新型]一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管

有效

• 申請號: 201720591954.3
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN207068865U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 龔利汀;龔利貞
• 申請（專利權）人: 無錫固電半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，包括N+型襯底（9），所述N+型襯底（9）的正面設有N-型集電區（8），所述N+型襯底（9）背面設有背面金屬層（10），用于引出晶體管的集電極；所述N-型集電區（8）中間形成有P型基區（7），其特征在于，所述P型基區（7）深入到N-型集電區（8）內，深度為10μm，所述P型基區（7）上連接有基極金屬層（1），用于引出晶體管的基極，所述N-型集電區（8）邊緣形成有N+型中止環（11），所述N+型中止環（11）深入到N-型集電區（8）內，所述P型基區（7）內設有N+型發射區（5），所述N+型發射區（5）周圍設有N+型增阻環（6），所述N+型增阻環（6）設在P型基區（7）內，所述N+型發射區（5）上連接有發射極金屬層（2），用于引出晶體管的發射極；所述N-型集電區（8）表面覆蓋有氧化層（4），所述基極金屬層（1）和發射極金屬層（2）間通過氧化層（4）隔離，所述氧化層（4）上覆蓋有表面鈍化層（3），所述表面鈍化層（3）對應P型基區（7）和N+型發射區（5）各開一個窗口，分別用于引出基極金屬層（1）和發射極金屬層（2）。

2.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：N+型增阻環（6）上設有氧化層（4），N+型增阻環（6）上的氧化層（4）包裹在基極金屬層（1）內。

3.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述N+型發射區（5）、N+型增阻環（6）和N+型中止環（11）同時形成，且結深和摻雜濃度相同。

4.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述基極金屬層（1）和發射極金屬層（2）為同一制造層。

5.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述氧化層（4）為二氧化硅層。

6.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述表面鈍化層（3）為磷硅玻璃膜。

7.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述基極金屬層（1）和發射極金屬層（2）的材料均為鋁，所述背面金屬層（10）的材料包括銀。

8.根據權利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述晶體管的面積為4.15mm*4.15mm，電流為16~18A。