[實(shí)用新型]一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720591954.3
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN207068865U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔利汀;龔利貞
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，包括N+型襯底（9），所述N+型襯底（9）的正面設(shè)有N-型集電區(qū)（8），所述N+型襯底（9）背面設(shè)有背面金屬層（10），用于引出晶體管的集電極；所述N-型集電區(qū)（8）中間形成有P型基區(qū)（7），其特征在于，所述P型基區(qū)（7）深入到N-型集電區(qū)（8）內(nèi)，深度為10μm，所述P型基區(qū)（7）上連接有基極金屬層（1），用于引出晶體管的基極，所述N-型集電區(qū)（8）邊緣形成有N+型中止環(huán)（11），所述N+型中止環(huán)（11）深入到N-型集電區(qū)（8）內(nèi)，所述P型基區(qū)（7）內(nèi)設(shè)有N+型發(fā)射區(qū)（5），所述N+型發(fā)射區(qū)（5）周圍設(shè)有N+型增阻環(huán)（6），所述N+型增阻環(huán)（6）設(shè)在P型基區(qū)（7）內(nèi)，所述N+型發(fā)射區(qū)（5）上連接有發(fā)射極金屬層（2），用于引出晶體管的發(fā)射極；所述N-型集電區(qū)（8）表面覆蓋有氧化層（4），所述基極金屬層（1）和發(fā)射極金屬層（2）間通過氧化層（4）隔離，所述氧化層（4）上覆蓋有表面鈍化層（3），所述表面鈍化層（3）對應(yīng)P型基區(qū)（7）和N+型發(fā)射區(qū)（5）各開一個(gè)窗口，分別用于引出基極金屬層（1）和發(fā)射極金屬層（2）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：N+型增阻環(huán)（6）上設(shè)有氧化層（4），N+型增阻環(huán)（6）上的氧化層（4）包裹在基極金屬層（1）內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述N+型發(fā)射區(qū)（5）、N+型增阻環(huán)（6）和N+型中止環(huán)（11）同時(shí)形成，且結(jié)深和摻雜濃度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述基極金屬層（1）和發(fā)射極金屬層（2）為同一制造層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述氧化層（4）為二氧化硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述表面鈍化層（3）為磷硅玻璃膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述基極金屬層（1）和發(fā)射極金屬層（2）的材料均為鋁，所述背面金屬層（10）的材料包括銀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電流高速高可靠性NPN型功率晶體管，其特征在于：所述晶體管的面積為4.15mm*4.15mm，電流為16~18A。