[實用新型]一種不規則半導體材料破碎裝置

有效

• 申請號: 201720590359.8
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN206731273U
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 魏丹
• 申請（專利權）人: 無錫市華莊電光源機械設備廠
• 主分類號: B02C19/18
• 分類號: B02C19/18
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙)32228
• 代理人: 聶啟新

技術領域

本實用新型涉及材料破碎領域，尤其是一種不規則半導體材料破碎裝置。

背景技術

用于制造半導體設備的硅晶元通常使用如下方法制成：通過西門子法生成多晶硅塊，將多晶硅塊破碎成小塊，然后以破碎得到的硅碎片作為原材料，采用直拉單晶制造法(Czochralski，CZ法)生成圓柱形的單晶硅塊，對單晶硅塊切斷研磨制成硅晶元。

在將多晶硅塊進行破碎時，目前常用的方法是人工使用錘子進行敲打破碎，這一破碎方法一方面容易引進雜質污染高純度的多晶硅，另一方面破碎效率也很低。

實用新型內容

本發明人針對上述問題及技術需求，提出了一種不規則半導體材料破碎裝置，該裝置通過高壓脈沖信號對不規則半導體材料進行破碎，交叉污染較小，且自動化程度高、破碎效率較高。

本實用新型的技術方案如下：

一種不規則半導體材料破碎裝置，該裝置包括：處理室、高壓脈沖發生器和電極組件，處理室中放置有向上開口的破碎容器，破碎容器用于盛放待破碎的不規則半導體材料，高壓脈沖發生器電性連接電極組件，電極組件設置于破碎容器上方，高壓脈沖發生器用于通過電極組件向待破碎的不規則半導體材料發送高壓脈沖信號；處理室中填充有工藝流體，破碎容器、電極組件中的電極頭以及待破碎的不規則半導體材料均浸沒在工藝流體中；

電極組件包括中心電極、兩個側接地極、中心電極頭、接地電極頭和支撐絕緣體，中心電極設置在支撐絕緣體內部，兩個側接地極分別設置在支撐絕緣體的外部兩側且與中心電極相絕緣，中心電極的一端電性連接高壓脈沖發生器，另一端電性連接中心電極頭，中心電極頭垂直向下朝向破碎容器設置，接地電極頭與中心電極頭對向設置且與中心電極頭之間存在放電間隙，接地電極頭通過金屬連接桿連接至兩個側接地極。

其進一步的技術特征為，待破碎的不規則半導體材料填滿破碎容器，電極組件的最下端與破碎容器的上邊沿之間的縱向距離為10mm-20mm。

其進一步的技術特征為，中心電極采用紫銅制成，中心電極頭和接地電極頭采用銅鎢合金制成。

其進一步的技術特征為，裝置包括至少兩個破碎容器，至少兩個破碎容器交替設置在處理室中。

其進一步的技術特征為，金屬連接桿包括一個橫向連接桿和兩個縱向連接桿，則接地電極頭通過金屬連接桿連接至兩個側接地極，包括：接地電極頭設置在橫向連接桿的中心位置并與橫向連接桿電性相連，橫向連接桿的兩端分別連接一個縱向連接桿，每個縱向連接桿連接一個側接地極。

本實用新型的有益技術效果是：

1、該裝置可以實現通過高壓脈沖信號破碎半導體材料，破碎的自動化程度高，破碎效率較高。

2、該裝置中采用的電極組件的結構中存在兩個電流包圍回路，使得整個電極組件的分布電感較低，可以有效提高放電效率，從而提高破碎效率。

3、處理室中填充有工藝流體，破碎操作在工藝流體中進行，有效避免半導體材料被污染，可以保證破碎后的半導體材料的純度。

4、該裝置中的電極組件與破碎容器的上邊沿之間的縱向距離為10mm-20mm，可以有效避免電極組件與凸出破碎容器上邊沿的半導體材料的接觸，同時也可以保持較好的放電效率。

5、該裝置中用于盛放待破碎的不規則半導體材料的破碎裝置是可替換的，在一個破碎裝置放置在處理室中，對該破碎裝置中的半導體材料進行破碎時，可以對另一個破碎裝置進行同步的填料，實現該裝置的連續工作，進一步提高破碎效率。

附圖說明

圖1是本實用新型公開的一種不規則半導體材料破碎裝置的結構示意圖。

圖2是不規則半導體材料破碎裝置中的電極組件的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做進一步說明。