[實用新型]一種金屬?半導體雙納米線型混合表面等離子波導結構有效
| 申請號： | 201720581406.2 | 申請日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN206757090U | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發明（設計）人： | 徐政杰;朱君;秦柳麗;傅得立 | 申請（專利權）人： | 廣西師范大學 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司45112 | 代理人： | 劉梅芳 |
| 地址： | 541004 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 半導體 納米 線型 混合 表面 等離子 波導 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬-半導體雙納米線型混合表面等離子波導結構，其特征是，包括自下而上順序疊接的二氧化硅基底、低折射率緩沖層、低折射率介質包層和金屬Ag納米帶頂層，所述低折射率緩沖層中設有對稱掩埋的第一納米線和第二納米線，第一納米線和第二納米線之間刻蝕有低折射率介質連通間隙。
2.根據權利要求1所述的金屬-半導體雙納米線型混合表面等離子波導結構，其特征是，所述低折射率緩沖層為SiO2層。
3.根據權利要求1所述的金屬-半導體雙納米線型混合表面等離子波導結構，其特征是，所述第一納米線和第二納米線均為高折射率InGaAsP納米線。
4.根據權利要求1所述的金屬-半導體雙納米線型混合表面等離子波導結構，其特征是，所述低折射率介質為MgF2介質。
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