技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及DCDC變流器，尤其涉及一種三電平DCDC變流器的拓?fù)潆娐贰?/p>

背景技術(shù)

DCDC轉(zhuǎn)換器(Direct Current-Direct Current Converter)，即直流變直流(不同直流電源值之間的轉(zhuǎn)換)，只要符合這個(gè)定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器。

DCDC電路實(shí)現(xiàn)高低壓直流電之間的變化，能適應(yīng)更寬范圍的輸入輸出電壓；三電平技術(shù)被應(yīng)用到高壓大功率DCDC電路，如圖1所示，為三電平DCDC電路應(yīng)用于雙極DCAC變流器的拓?fù)潆娐罚ǎ喝娖紻CDC電路和DCAC轉(zhuǎn)換電路，其中，三電平DCDC電路包括：直流源U_batt11、電容(C₁₁～C₁₃)、電感L₁₁、四個(gè)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)(Q₁₁～Q₁₄)和四個(gè)寄生二極管(D₁₁～D₁₄)，DCAC轉(zhuǎn)換子電路包括：六個(gè)IGBT(Q₁₅～Q₁₁₀)、六個(gè)寄生二極管(D₁₂～D₁₁₀)、電感(L₁₂～L₁₄)和電容(C₁₄～C₁₆)。

三電平DCDC電路的橋臂由四個(gè)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)(Q₁₁～Q₁₄)串聯(lián)而成，通過交替導(dǎo)通Q₁₁、Q₁₄或Q₁₂、Q₁₃，輔以相連的電感和/或電容，實(shí)現(xiàn)能量在輸入輸出端之間的轉(zhuǎn)移，在這種拓?fù)渲校瑔喂艹惺艿碾妷簯?yīng)力是直流母線電壓的一半，同時(shí)具備調(diào)節(jié)母線電壓平衡的功能。但是由于開關(guān)時(shí)序的不同，三電平的低壓輸出帶有很嚴(yán)重的共模電壓問題，共模電壓影響到系統(tǒng)的電磁兼容性(EMC，Electromagnetic Compatibility)，甚至影響到設(shè)備的正常運(yùn)行，從而限制了三電平DCDC電路的應(yīng)用。

因此，如何降低三電平DCDC電路的共模電壓是相當(dāng)有必要的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請實(shí)施例通過提供一種三電平DCDC變流器的拓?fù)潆娐罚鉀Q了現(xiàn)有技術(shù)中三電平DCDC電路的共模電壓高的技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)了對三電平DCDC電路直流側(cè)共模電壓的抑制，使共模電壓低于電能轉(zhuǎn)換電壓。

本申請實(shí)施例提供了一種三電平DCDC變流器的拓?fù)潆娐罚鐾負(fù)潆娐钒ǎ褐绷髟础⒌谝恢恋谑娙輪卧⒌谝浑姼袉卧⒌诙姼袉卧偷谝恢恋谒木w管單元；

所述第一電容單元的兩端分別直接與所述直流源的正、負(fù)端口連接；

所述第一晶體管的第一端通過所述第一電感單元與所述直流源的正端口連接、第二端通過所述第二電容單元接地；

所述第二晶體管的第一端通過所述第一電感單元與所述直流源的正端口連接、第二端通過所述第三電容單元接地；

所述第三晶體管的第一端通過所述第三電容單元接地、第二端通過所述第二電感單元與所述直流源的負(fù)端口連接；

所述第四晶體管的第一端通過所述第二電感單元與所述直流源的負(fù)端口連接、第二端通過所述第四電容單元接地；

所述第二晶體管的第一端還通過所述第一電感單元與第九電容單元的一端連接，并通過所述第九電容單元的另一端與所述第二晶體管的第二端連接；所述第三晶體管的與所述第二晶體管連接的一端還通過所述第十電容單元與所述直流源的負(fù)端口連接。

可選的，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第一電感的連接點(diǎn)通過所述第五電容單元接地；

所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第二電感的連接點(diǎn)通過所述第六電容單元接地；

所述第一電容單元的與所述直流源的正端口連接的一端還通過所述第七電容單元接地，所述第一電容單元的與所述直流源的負(fù)端口連接的一端還通過所述第八電容單元接地。

可選的，所述第一電容單元包括第一電容；所述第二電容單元包括第二電容、第三電容和所述第三電容單元；

其中，所述第二電容與所述第三電容單元串聯(lián)，形成第一串聯(lián)支路；所述第三電容與所述第一串聯(lián)支路并聯(lián)。

可選的，所述第三電容單元包括第四電容、第五電容和所述第四電容單元；