[實用新型]蒸發(fā)源和真空鍍膜系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720572428.2
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN206872929U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔德興
• 申請（專利權(quán)）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 韓建偉,謝湘寧

1.一種蒸發(fā)源，其特征在于，包括：

蒸發(fā)源坩堝(1)，用于承載并加熱蒸發(fā)物質(zhì)；

蒸發(fā)源擋板(2)，所述蒸發(fā)源擋板(2)可移動地設(shè)置在所述蒸發(fā)源坩堝(1)的上方；所述蒸發(fā)源擋板(2)包括板體(10)和收納清理部(20)，所述板體(10)具有用于遮擋所述蒸發(fā)物質(zhì)的遮擋面，所述收納清理部(20)設(shè)置在所述板體(10)上，所述收納清理部(20)包括格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)，所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)設(shè)置在所述遮擋面上以防止所述板體(10)上沉積的蒸發(fā)物質(zhì)掉落入所述蒸發(fā)源坩堝(1)內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

所述遮擋面為平面，所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)與所述遮擋面貼合設(shè)置；或

所述遮擋面為曲面，所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)與所述板體(10)的邊緣連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)為多個，多個所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)沿所述板體(10)的厚度方向?qū)盈B設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)由不銹鋼制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)通過螺栓與所述板體(10)可拆卸地連接；或

所述格柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)(21)與所述板體(10)焊接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述板體(10)還具有沿其厚度方向與所述遮擋面相對設(shè)置的第二表面(11)，所述收納清理部(20)還包括振動結(jié)構(gòu)(22)，所述振動結(jié)構(gòu)(22)設(shè)置在所述第二表面(11)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源擋板(2)還包括控制部，所述振動結(jié)構(gòu)(22)為多個，多個所述振動結(jié)構(gòu)(22)相間隔地分布在所述第二表面(11)上，所述控制部與多個振動結(jié)構(gòu)(22)電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述振動結(jié)構(gòu)(22)為振動器。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源擋板(2)具有遮擋在所述蒸發(fā)物質(zhì)的上升路徑處的遮擋位置和避讓開所述蒸發(fā)物質(zhì)的上升路徑的避讓位置，當(dāng)所述蒸發(fā)源擋板(2)處于所述避讓位置時，所述控制部控制所述振動結(jié)構(gòu)(22)工作以使所述板體(10)上沉積的蒸發(fā)物掉落至所述蒸發(fā)源坩堝(1)外。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源坩堝(1)上開設(shè)有多個膜料穴(12)，所述蒸發(fā)源還包括加熱電子槍，所述加熱電子槍設(shè)置在所述蒸發(fā)源坩堝(1)上并位于多個所述膜料穴(12)的下方以對所述蒸發(fā)物質(zhì)進行加熱。

11.一種真空鍍膜系統(tǒng)，用于對基材進行蒸發(fā)鍍膜，其特征在于，包括：

外殼，所述外殼具有真空鍍膜腔；

蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源設(shè)置在所述真空鍍膜腔內(nèi)并向所述真空鍍膜腔內(nèi)釋放蒸發(fā)物質(zhì)以在所述基材的表面形成膜層；

離子源，所述離子源設(shè)置在所述真空鍍膜腔內(nèi)并向所述真空鍍膜腔內(nèi)釋放離子以提高所述膜層的致密度；

其中，所述蒸發(fā)源為權(quán)利要求1至10中任一項所述的蒸發(fā)源。