[實用新型]一種高速VCSEL激光器外延結構

有效

• 申請號: 201720568498.0
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN207217999U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 單智發
• 申請（專利權）人: 蘇州全磊光電有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙)32251
• 代理人: 劉計成

1.一種高速VCSEL激光器外延結構，包括GaAs襯底（01），在GaAs襯底（01）上依次采用MOCVD沉積GaAs 緩沖層（02）、N型摻雜的DBR（03）、有源層（04）、氧化限制層（05）、P型摻雜的DBR（06）和歐姆接觸層（07），其特征在于：所述氧化限制層（05）由多個Ga組分跳變的Al_1-xGa_xAs外延層組成，其中X為Ga元素的組分。

2.根據權利要求1所述的一種高速VCSEL激光器外延結構，其特征在于：所述多個Al_1-xGa_xAs外延層中中間層的Ga組分最小，最下層的Ga組分最大。

3.根據權利要求2所述的一種高速VCSEL激光器外延結構，其特征在于：所述氧化限制層（05）由下至上包括Ga組分為5% 的Al_0.95Ga_0.05As外延層（10）、Ga組分為3% 的Al_0.97Ga_0.03As外延層（11）、Ga組分為2% 的Al_0.98Ga_0.02As外延層（12)、Ga組分為3% 的Al_0.97Ga_0.03As外延層（13）和Ga組分為5% 的Al0.95Ga0.05As外延層（14）。

4.根據權利要求1所述的一種高速VCSEL激光器外延結構，其特征在于：所述氧化限制層（05）的中間外延層的Ga組分為2%、厚度為10nm，最下層、最上層的外延層的Ga組分為5%、厚度為5nm，最下層、最上層的外延層與中間外延層之間的外延層Ga組分為2-5%，厚度為3-8nm。

5.根據權利要求4所述的一種高速VCSEL激光器外延結構，其特征在于：所述氧化限制層（05）由下至上包括5nm Ga組分為5% 的Al0.95Ga0.05As外延層（10）、5nm Ga組分為3% 的Al0.97Ga0.03As外延層（11）、10nm Ga組分為2% 的Al0.98Ga0.02As外延層（12)、5nm Ga組分為3% 的Al0.97Ga0.03As外延層（13）和5nm Ga組分為5% 的Al0.95Ga0.05As外延層（14）。

6.根據權利要求1所述的一種高速VCSEL激光器外延結構，其特征在于：所述有源層（04）采用GaAs/AlGaAs MQW。