[實(shí)用新型]一種紫外LED倒裝芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720562525.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN206976385U
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何苗;楊思攀;熊德平;王成民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/64;H01L23/60
• 代理公司: 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種紫外LED倒裝芯片，其特征在于，包括從下往上依次設(shè)置的基板、布線層和芯片外延層；

所述芯片外延層設(shè)為三明治結(jié)構(gòu)，包括通過外延生長(zhǎng)工藝由上而下依次設(shè)置的襯底、緩沖層、未摻雜型AlGaN層、n型AlGaN層、量子阱有源區(qū)、p型AlGaN層、p型GaN層、n電極和p電極；所述芯片外延層的一側(cè)通過刻蝕工藝去除量子阱有源區(qū)、p型AlGaN層和p型GaN層的一部分，從而形成n型半導(dǎo)體區(qū)域和p型半導(dǎo)體區(qū)域；所述n型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)設(shè)有貫穿整個(gè)n型AlGaN層的第一內(nèi)部接觸層和用于包裹第一內(nèi)部接觸層的第一絕緣層；所述n電極的一端分別與第一內(nèi)部接觸層和n型AlGaN層連接，另一端連接在布線層上；所述p型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個(gè)第二內(nèi)部接觸層和用于包裹第二內(nèi)部接觸層的第二絕緣層，所述第二內(nèi)部接觸層和第二絕緣層從n型AlGaN層向下依次貫穿至p型GaN層；所述p電極的一端與第二內(nèi)部接觸層連接，另一端固定連接在布線層上；所述第一內(nèi)部接觸層的直徑小于n電極，所述第二內(nèi)部接觸層的直徑小于p電極；

所述布線層上設(shè)有用于隔離n電極和p電極的隔離跑道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外延層還包括提高出光率的反射層，所述反射層設(shè)置在p型GaN層與p電極之間；所述第二內(nèi)部接觸層和第二絕緣層均貫穿所述反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外延層還包括用于加快芯片散熱的透明導(dǎo)電層；所述透明導(dǎo)電層設(shè)置在反射層與p電極之間；所述第二內(nèi)部接觸層貫穿所述透明導(dǎo)電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外延層還包括用于提高出光效率的電流擴(kuò)展層和電子阻擋層；所述電流擴(kuò)展層設(shè)置在n型AlGaN層與量子阱有源區(qū)之間，所述電子阻擋層設(shè)置在量子阱有源區(qū)與p型AlGaN層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外延層還包括成核層和AlN/AlGaN超晶格；所述成核層設(shè)置在緩沖層與未摻雜型AlGaN層之間，所述AlN/AlGaN超晶格設(shè)置在未摻雜型AlGaN層與n型AlGaN層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外 延層還包括鈍化層，所述鈍化層用于將n電極與p電極隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述p電極和第二內(nèi)部接觸層的數(shù)量均設(shè)為三組。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述n電極設(shè)為用于提高散熱面積、防止電極表面漏電的倒L型或Z型結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的紫外LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片外延層還包括導(dǎo)電銀漿層和AlN層；所述導(dǎo)電銀漿層和AlN層自下而上依次設(shè)置在基板與布線層之間。