[實用新型]硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置

有效

• 申請號: 201720559600.0
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN206710550U
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 王少華;張凱勝;姚偉忠
• 申請（專利權）人: 常州億晶光電科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙)32258
• 代理人: 王美華

1.一種硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置，包括放置硅片(2)的暴曬臺(1)，其特征在于：位于硅片(2)上方設有水平排列的若干根石英玻璃管(3)，所述的石英玻璃管(3)內穿設有紅外加熱管(4)，石英玻璃管(3)一端密封連接有通入壓縮二氧化碳氣體的通氣管(5)，石英玻璃管(3)另一端設有熱風箱(6)，石英玻璃管(3)與熱風箱(6)密封連接，石英玻璃管(3)內由紅外加熱管(4)加熱產生的熱量隨壓縮二氧化碳氣體通入熱風箱(6)內后排出，位于石英玻璃管(3)上方安裝有吸收排出石英玻璃管(3)所散發熱量的熱排風罩(7)。

2.如權利要求1所述的硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置，其特征在于：所述的石英玻璃管(3)具有十根，十根石英玻璃管(3)間隔排列，每根石英玻璃管(3)內穿設有兩根紅外加熱管(4)。