[實(shí)用新型]一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720559086.0
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN206947345U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱偉東;趙泊然
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇應(yīng)能微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/08;H01L29/06
• 代理公司: 常州市華信天成專利代理事務(wù)所(普通合伙)32294
• 代理人: 錢鎖方

1.一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括重?fù)诫sP型襯底，在P型襯底上生長出第一層摻雜N型外延層，

在第一摻雜N型外延層上注入N型埋層，N型埋層與P型襯底形成PN結(jié)，

所述第一層摻雜N型外延層上生長出第二層摻雜N型外延層；第二層摻雜N型外延層上設(shè)置有層間介質(zhì)層，以及處于層間介質(zhì)層上方并向下沉積的金屬層；

所述第二層摻雜N型外延層中設(shè)有深區(qū)N型注入?yún)^(qū)，N型注入?yún)^(qū)與N型埋層連接導(dǎo)通；

所述第二層摻雜N型外延層中還設(shè)有淺區(qū)N型注入?yún)^(qū)和P型注入?yún)^(qū)，

以及處于深區(qū)N型注入?yún)^(qū)、淺區(qū)N型注入?yún)^(qū)之間的隔離溝槽，隔離溝槽從層間介質(zhì)層向下穿過第一摻雜N型外延層、第二層摻雜N型外延層進(jìn)入重?fù)诫sP型襯底，在隔離溝槽中填充有氧化硅。

2.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型襯底上生長出5—10微米的第一層摻雜N型外延層，第一層摻雜N型外延層的電阻率為10—20Ω·cm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型埋層注入第一摻雜N型外延層的載流濃度為10^17-19。

4.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層摻雜N型外延層上生長出10—15微米的第二層摻雜N型外延層，第二層摻雜N型外延層電阻率為150—1000Ω·cm。

5.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深區(qū)N型注入?yún)^(qū)采用載流子濃度：10^18-20，能量：100-130KeV注入第二摻雜N型外延層中。

6.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離溝槽深度大于15微米，高寬比為20—30:1。

7.如權(quán)利要求1所述的一種超低電容TVS器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述淺區(qū)N型注入?yún)^(qū)和P型注入?yún)^(qū)采用載流子濃度：10^18-19注入第二摻雜N型外延層中。