[實用新型]無變頻三維陣列等離子共振傳感器有效
| 申請號： | 201720553346.3 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN206756692U | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發明（設計）人： | 劉鋼;許浩 | 申請（專利權）人： | 量準（上海）實業有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/59 | 分類號： | G01N21/59 |
| 代理公司： | 北京金蓄專利代理有限公司11544 | 代理人： | 馬賀 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 變頻 三維 陣列 等離子 共振 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，包括等離子共振基底，為納米結構的空腔陣列，其上覆蓋多層材料結構層，包括從下至上依次排布的第一金屬層、絕緣層和第二金屬層，該多層材料結構層在基底內形成內嵌于所述等離子共振傳感器中的光學諧振腔陣列，所述光學諧振腔為錐形杯狀的空腔。
2.根據權利要求1所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，所述錐形杯狀的空腔深度為250～1000nm，所述第一金屬層厚度為20～120nm，絕緣層厚度為20nm，所述第二金屬層厚度為20～120nm。
3.根據權利要求2所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，所述錐形杯狀的空腔深度為300nm，所述第一金屬層厚度為90nm，絕緣層厚度為20nm，所述第二金屬層厚度為90nm。
4.根據權利要求1至3任一所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，所述等離子共振器件的基底為熱塑性聚酯材料，所述第一金屬層為鈦金層，所述絕緣層為硫化鎘或二氧化硅，所述第二金屬層為金層。
5.根據權利要求4所述的無變頻三維陣列等離子共振傳感器，其特征在于，所述熱塑性聚酯材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯。
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