[實(shí)用新型]脊?fàn)畎l(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720544793.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN206992138U | 公開（公告）日： | 2018-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/02 | 分類號(hào)： | H01L33/02;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號(hào)*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 | ||
1.一種脊?fàn)畎l(fā)光二極管，其特征在于，包括：SOI襯底層、晶化Ge層、脊?fàn)頖e-Sn合金層、N型Ge-Sn合金層、P型Ge-Sn合金層，其中：
所述晶化Ge層位于所述SOI襯底層之上；
所述脊?fàn)頖e-Sn合金層位于所述晶化Ge層表面之上中間位置；
所述N型Ge-Sn合金層和所述P型Ge-Sn合金層位于所述晶化Ge層表面之上所述脊?fàn)頖e-Sn合金層兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述N型Ge-Sn合金層、所述脊?fàn)頖e-Sn合金層、所述P型Ge-Sn合金層之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為SiO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括第一電極和第二電極，其中：
所述第一電極，位于所述N型Ge-Sn合金層之上；
所述第二電極，位于所述P型Ge-Sn合金層之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二極管，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極的材料為Cr-Au合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于，所述脊?fàn)頖e-Sn合金層厚度為150～200nm。
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