[實用新型]嵌入式納米金陣列表面等離子共振傳感器基底有效
| 申請號： | 201720531943.6 | 申請日： | 2017-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN207300884U | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發明（設計）人： | 劉瑜;孔令超;王軍;吳楊生;裴霄翔 | 申請（專利權）人： | 安徽大學 |
| 主分類號： | G01N21/59 | 分類號： | G01N21/59;G01N21/01 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司11260 | 代理人： | 鄭立明,鄭哲 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 嵌入式 納米 陣列 表面 等離子 共振 傳感器 基底 | ||
【權利要求書】：
1.一種嵌入式納米金陣列表面等離子共振傳感器基底，其特征在于，包括：
二氧化硅介質基底(2)以及嵌入二氧化硅介質基底(2)的周期型菱形金納米顆粒陣列(1)；
在可見光范圍內，入射光從周期型菱形金納米顆粒陣列(1)上方垂直入射，偏正方向沿x軸方向；
周期型菱形金納米顆粒陣列(1)的嵌入深度為d＝100nm；
二氧化硅介質基底(2)的厚度為h＝400nm，介電常數為1.45；
周期型菱形金納米顆粒陣列(1)的高度為Lz＝30nm，周期型菱形金納米顆粒陣列(1)的長軸和短軸分別為Lx＝100nm和Ly＝40nm，金的介電常數采用Drude模型；
周期型菱形金納米顆粒陣列(1)沿x方向的周期和y方向的周期分別為Px＝200nm和Py＝570nm。
2.根據權利要求1所述的一種嵌入式納米金陣列表面等離子共振傳感器基底，其特征在于，傳感器基底結構上下邊界條件取完全匹配層，在x和y方向取周期性邊界條件。
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