[實(shí)用新型]一種過壓欠壓保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720528855.0 | 申請日： | 2017-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN206922420U | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧國健 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州視琨電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/12 | 分類號： | H02H7/12;H02H3/20;H02H3/24 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人： | 麥小嬋,郝傳鑫 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 壓欠壓 保護(hù) 電路 | ||
1.一種過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，包括欠壓檢測模塊、過壓檢測模塊和開關(guān)控制模塊；
所述欠壓檢測模塊包括用于連接至輸入電源的欠壓檢測端和欠壓信號輸出端；
所述過壓檢測模塊包括過壓檢測端和過壓信號輸出端；
所述開關(guān)控制模塊包括用于連接至輸入電源的供電端、欠壓信號輸入端、過壓信號輸入端和控制信號輸出端；
所述欠壓信號輸出端分別連接所述欠壓信號輸入端和所述過壓檢測端，所述過壓信號輸出端與所述過壓信號輸入端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述欠壓檢測模塊包括第一穩(wěn)壓管；
所述第一穩(wěn)壓管的負(fù)極與所述欠壓檢測端連接，所述第一穩(wěn)壓管的正極與所述欠壓信號輸出端連接。
3.如權(quán)利要求1所述的過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述過壓檢測模塊包括第二穩(wěn)壓管；
所述第二穩(wěn)壓管的負(fù)極與所述過壓檢測端連接，所述第二穩(wěn)壓管的正極與所述過壓信號輸出端連接。
4.如權(quán)利要求1所述的過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)控制模塊包括第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、第三開關(guān)管、第一電阻、第二電阻和第三電阻；
所述第一開關(guān)管的第一端與所述供電端連接，所述第一開關(guān)管的第二端與所述控制信號輸出端連接，所述第一開關(guān)管的控制端通過所述第一電阻與所述第一開關(guān)管的第一端連接，所述第一開關(guān)管的控制端還與所述第二開關(guān)管的第一端連接，所述第二開關(guān)管的第二端接地，所述第二開關(guān)管的控制端通過所述第二電阻與所述欠壓信號輸入端連接，所述第二開關(guān)管的控制端還與所述第三開關(guān)管的第一端連接，所述第三開關(guān)管的控制端通過所述第三電阻與所述過壓信號輸入端連接，所述第三開關(guān)管的第二端接地。
5.如權(quán)利要求4所述的過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管是P溝道MOS管，所述P溝道MOS管的源極為所述第一開關(guān)管的第一端，所述P溝道MOS管的漏極為所述第一開關(guān)管的第二端，所述P溝道MOS管的柵極為所述第一開關(guān)管的控制端。
6.如權(quán)利要求4所述的過壓欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管是NPN型三極管，所述NPN型三極管的集電極為所述第二開關(guān)管的第一端，所述NPN型三極管的發(fā)射極為所述第二開關(guān)管的第二端，所述NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的控制端；
所述第三開關(guān)管是NPN型三極管，所述NPN型三極管的集電極為所述第三開關(guān)管的第一端，所述NPN型三極管的發(fā)射極為所述第三開關(guān)管的第二端，所述NPN型三極管的基極為所述第三開關(guān)管的控制端。
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