[實用新型]一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備有效
| 申請號: | 201720526048.5 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN206976291U | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發明(設計)人: | 何春海;儲小飛 | 申請(專利權)人: | 江蘇東晨電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思創大成知識產權代理有限公司11614 | 代理人: | 王堯 |
| 地址: | 214205 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 臺面 可控硅 表面 二氧化硅 加工 設備 | ||
1.一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于該加工設備為臺式,包括控制臺(5)、沖洗室(6)、高壓水泵(8)和水箱(9),其中,沖洗室(6)內設有載物臺(4),載物臺(4)上設有沖洗單元和可控硅載片單元,所述的控制臺(5)設于臺面的一側,沖洗室(6)設于臺面的另一側,水箱(9)和高壓水泵(8)設于臺面的下方,所述高壓水泵(8)的出水口通過管路與沖洗單元的進水口相連,控制臺(5)的控制信號輸出端分別連接高壓水泵(8)、沖洗單元和可控硅載片單元的對應控制信號輸入端,前述可控硅載片單元用于裝載可控硅,沖洗單元對可控硅表面的二氧化硅進行沖洗。
2.根據權利要求1所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的沖洗單元包括高壓噴頭(2)、進水管道(1)和驅動軸(7),所述的高壓噴頭(2)設于可控硅載片單元的上方,通過進水管道(1)連接高壓水泵(8),所述的驅動軸(7)安裝在載物臺(4)上,其控制信號輸入端與控制臺(5)的對應控制信號輸入端相連,通過驅動軸(7)運轉帶動進水管道(1)的擺動,實現高壓噴頭(2)的旋轉噴淋。
3.根據權利要求2所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的高壓噴頭(2)沖洗的壓力不低于每平方厘米30公斤。
4.根據權利要求2所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的進水管道(1)上均勻布置若干個高壓噴頭(2)。
5.根據權利要求1所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的載物臺(4)設于沖洗室(6)的中間。
6.根據權利要求1所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的可控硅載片單元包括吸盤(3),吸盤(3)設于載物臺(4)的一側,用于吸附臺面可控硅。
7.根據權利要求6所述的一種去除臺面可控硅表面二氧化硅的加工設備,其特征在于所述的吸盤(3)與載物臺(4)之間設有一旋轉臺,所述的旋轉臺的控制信號輸入端與控制臺(5)的對應控制信號輸出端連接,用于在高壓噴頭(2)沖洗時帶動吸盤(3)旋轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





