[實用新型]基于F?P結構的光纖微懸橋磁場傳感探頭有效
| 申請號： | 201720523245.1 | 申請日： | 2017-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN206975198U | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發明（設計）人： | 施陽陽;劉月明;韓曉紅 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | G01R33/032 | 分類號： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 結構 纖微 磁場 傳感 探頭 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于F-P結構的光纖微懸橋磁場傳感探頭，包括：光纖，對稱固支端，基于中間反射體的光纖微懸橋，鉻金屬膜，超磁致伸縮薄膜，其特征是具有中間反射體的光纖微懸橋位于光纖端面，光纖微懸橋長度為95μm-105μm，中間反射體長為35μm-45μm，寬為35μm-45μm，微懸橋厚度為3μm-5μm，固支端長度為10μm-15μm，寬度與光纖微懸橋的寬度相同，為20μm-30μm，光纖微懸橋與光纖端面通過兩對稱固支端連接，并且構成法布里-珀羅諧振腔，形成光纖一體化結構。
2.根據權利要求1所述的一種基于F-P結構的光纖微懸橋磁場傳感探頭，其特征是鉻金屬膜和超磁致伸縮薄膜依次鍍在光纖微懸橋的外表面，鉻金屬膜厚度為30nm-50nm，超磁致伸縮薄膜材料為TbDyFe材料，厚度為1μm-1.5μm。
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