[實用新型]一種整流二極管的存取裝置有效
| 申請號: | 201720519829.1 | 申請日: | 2017-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN207052582U | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 徐林 | 申請(專利權)人: | 安徽旭特電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 地址: | 239400 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 整流二極管 存取 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及整流二極管技術領域,具體為一種整流二極管的存取裝置。
背景技術
整流二極管是一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結,有正極和負極兩個端子。二極管最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出,整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極管最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。通常它包含一個PN結,有正極和負極兩個端子。其結構如圖所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子,在P區和N區間形成一定的位壘。外加電壓使P區相對N區為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側附近產生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過很小的反向電流(稱反向漏電流),稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿)。這種器件的結面積較大,能通過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。
在整流二極管存取過程中,現有的存取裝置結構功能單一,容易在存取過程中使得整流二極管碰壞或者被污染,進而影響整流二極管的正常使用。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種整流二極管的存取裝置,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種整流二極管的存取裝置,包括箱體,所述箱體上鉸接有箱蓋,所述箱體底部中間位置設有把手,所述把手兩側設有連接扣,所述箱蓋對應位置設有連接銷,所述箱蓋上均勻設有第一上二極管槽,所述箱體內設有第一面板,所述第一面板頂部對應第一上二極管槽設置有第一下二極管槽,所述第一面板底部開設有第二上二極管槽,所述第一面板底部鉸接有第二面板,所述第二面板頂部對應第二上二極管槽設置有第二下二極管槽。
優選的,所述箱體和箱蓋通過鉸鏈鉸接。
優選的,所述箱體表面設有產品標簽。
優選的,所述箱體和箱蓋均包括內層和外層,所述內層和外層之間均勻設有彈性氣墊。
優選的,所述第一上二極管槽、第一下二極管槽、第二上二極管槽和第二下二極管槽均呈環形陣列分布。
優選的,所述第一面板和第二面板均為泡沫面板。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:本實用新型一種整流二極管的存取裝置,結構新穎,操作方便,通過采用箱體和箱蓋結構,方便存取,方便攜帶,整流二極管放置在第一面板和第二面板上的第一下二極管槽和第二下二極管槽上,對應第一上二極管槽和第二上二極管槽合在一起,使得整流二極管可以分類整齊的擺放在箱體內,同時采用兩層面板結構,提高存放量,而且第一面板和第二面板均為泡沫面板,具有一定的抗震作用,可以有效的并將整流二極管覆蓋包圍起來,保護不受到外界的破壞或者污染,而且箱體和箱蓋的內層和外層之間設置的彈性氣墊,可以有效的起到二次抗震作用,具有很高的實用性,大大提升了該一種整流二極管的存取裝置的使用功能性,保證其使用效果和使用效益,適合廣泛推廣。
附圖說明
圖1為本實用新型整體內部展開結構示意圖;
圖2為本實用新型第一面板和第二面板部分結構示意圖;
圖3為本實用新型外部結構示意圖;
圖4為本實用新型箱體和箱蓋表面結構示意圖。
圖中:1箱體、2箱蓋、3把手、4連接扣、5連接銷、6鉸鏈、7第一上二極管槽、8第一面板、9第一下二極管槽、10第二面板、11第二上二極管槽、12第二下二極管槽、13產品標簽、14內層、15外層、16彈性氣墊。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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