[實(shí)用新型]一種多IGBT并聯(lián)的功率模塊和功率柜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720519314.1
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN206790360U
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉玉柱;蹇芳;唐海燕;唐洲;吳建雄;廖遠(yuǎn)輝;姜揚(yáng)帆;張洪浩;姚明
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H05K7/20
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙)43008
• 代理人: 周長清,廖元寶

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型主要涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特指一種多IGBT并聯(lián)的功率模塊和功率柜。

背景技術(shù)

隨著新能源市場的競爭，功率單元的功率密度越來越大，由半導(dǎo)體器件組成的模組在體積和組裝效率上提出了更高的要求。而大功率變流器中，經(jīng)常會采用低電壓等級的通用型功率器件去替代高電壓等級的功率器件，以達(dá)到降低成本的目的。但在采用低電壓等級的通用型功率器件時(shí)，最主要考慮的是雜散參數(shù)的控制，因?yàn)殡s散參數(shù)的一致性決定了功率模塊的均流度和電氣性能的優(yōu)劣。如何在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，保證雜散參數(shù)的一致性，也越來越受到工程技術(shù)人員的重視。同時(shí)多功率器件（IGBT等）并聯(lián)時(shí)，由于器件個(gè)數(shù)增多，也給整機(jī)散熱帶來困擾。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題就在于：針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡單緊湊、布局合理、散熱效果好的多IGBT并聯(lián)的功率模塊，并相應(yīng)提供一種結(jié)構(gòu)簡單緊湊、布局合理、散熱效果好的功率柜。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出的技術(shù)方案為：

一種多IGBT并聯(lián)的功率模塊，包括安裝板、散熱器、IGBT模塊、驅(qū)動(dòng)板和支撐電容模塊，所述散熱器和支撐電容模塊安裝于所述安裝板上，所述IGBT模塊安裝于所述散熱器上，所述驅(qū)動(dòng)板安裝于所述IGBT模塊上方，所述IGBT模塊與所述支撐電容模塊和驅(qū)動(dòng)板電氣連接；所述IGBT模塊包括多個(gè)IGBT，多個(gè)IGBT依次排列在所述散熱器上，且相鄰IGBT的間距沿其排列方向依次減小或增加。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)：

所述IGBT模塊上安裝有驅(qū)動(dòng)支撐板，所述驅(qū)動(dòng)板安裝在所述驅(qū)動(dòng)支撐板上。

所述支撐電容模塊的上方布置有低感母排，用于支撐電容模塊和IGBT模塊的電氣連接。

所述低感母排包括進(jìn)線端和出線端，所述進(jìn)線端位于所述支撐電容模塊的正上方且與支撐電容模塊相連，所述出線端則與IGBT一一對應(yīng)連接。

所述IGBT的一側(cè)安裝有吸收電容，所述吸收電容與所述IGBT一一對應(yīng)。

所述吸收電容的上方橫跨有扎線桿。

所述安裝板于支撐電容模塊的位置處設(shè)置有第一通風(fēng)孔。

所述支撐電容模塊的周側(cè)及上方均設(shè)置有圍板，所述圍板上均設(shè)置有第二通風(fēng)孔。

本實(shí)用新型還公開了一種功率柜，包括柜體，所述柜體內(nèi)設(shè)置有多個(gè)如上所述的多IGBT并聯(lián)的功率模塊，各功率模塊并排安裝在柜體內(nèi)，且各功率模塊豎向安裝，各IGBT均沿散熱器的豎直安裝面從上至下排列。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)：

相鄰IGBT的間距從下至上依次增加。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：

本實(shí)用新型的多IGBT并聯(lián)的功率模塊，布局合理、結(jié)構(gòu)簡單緊湊；而且IGBT不等間距布置在散熱器上，在豎直安裝的情況下，有利于IGBT的溫度一致性。支撐電容模塊與IGBT模塊通過低感母排電氣連接，提高連接的可靠性；驅(qū)動(dòng)板與IGBT之間設(shè)有驅(qū)動(dòng)支撐板，用于電氣隔離；IGBT與吸收電容和支撐電容一一對應(yīng)，各部件布置均勻合理，有效降低了雜散參數(shù)的影響。本實(shí)用新型的功率柜同樣具如上功率模塊所述的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的功率模塊的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的功率模塊中安裝板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型的功率模塊中圍板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型的功率模塊中驅(qū)動(dòng)支撐板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本實(shí)用新型的功率模塊的IGBT布局圖。

圖7為本實(shí)用新型的功率柜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標(biāo)號表示：1、安裝板；11、第一通風(fēng)孔；2、散熱器；3、IGBT模塊；31、IGBT ；4、驅(qū)動(dòng)板；41、驅(qū)動(dòng)支撐板；5、支撐電容模塊；51、支撐電容；6、圍板；61、第二通風(fēng)孔；7、低感母排；71、進(jìn)線端；72、出線端；8、吸收電容；9、扎線桿；10、導(dǎo)軌；100、柜體。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。