[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720516903.4 | 申請日: | 2017-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN206806320U | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳林;鄭天鳳;朱仕鎮(zhèn);韓壯勇;朱文鋒;吳富友;劉志華;劉群英;朱海濤;張團(tuán)結(jié);王鵬飛;曹丙平;周貝貝 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367 |
| 代理公司: | 深圳市深軟翰琪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44380 | 代理人: | 吳雅麗,孫勇娟 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 封裝 新型 框架結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,包括多個(gè)引線框單元,所述引線框單元通過連接筋相互連接,所述引線框單元包括芯片座和引腳區(qū),所述芯片座包括散熱區(qū)和至少二個(gè)芯片區(qū),所述引腳區(qū)數(shù)量至少為二個(gè),所述芯片區(qū)與引腳區(qū)分別連接,每個(gè)引腳區(qū)上設(shè)有兩個(gè)側(cè)引腳,所述側(cè)引腳的外側(cè)開設(shè)有半圓形凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半圓形凹槽的半徑為0.1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述引腳區(qū)還包括中間引腳,所述中間引腳與芯片區(qū)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱區(qū)設(shè)有散熱孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述芯片區(qū)的四周還設(shè)有擋水凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述擋水凹槽截面為V型,深度為0.2mm,寬度為0.2-0.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體封裝的新型自鎖型框架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述側(cè)引腳和中間引腳上還電鍍有錫層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司,未經(jīng)深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720516903.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:音響(破殼)
- 下一篇:鍵盤(KM222W)





