[實用新型]一種DFN2020?6多芯片高密度框架

有效

• 申請號: 201720510342.7
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN206806316U
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;許兵;李寧;李超
• 申請（專利權）人: 成都先進功率半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 四川力久律師事務所51221
• 代理人: 王蕓,熊曉果

技術領域

本實用新型涉及一種半導體制造技術，特別是一種DFN2020-6多芯片高密度框架。

背景技術

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，其在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

在半導體的制造過程中，通常是將半導體集成到引線框架上，讓引線框架作為集成電路的芯片載體，形成電氣回路，起到了和外部導線連接的橋梁作用。芯片封裝形式為：DFN2020-6多芯（DFN是小型電子元器件的芯片封裝單元型號,2020表示單個芯片安裝部的尺寸為長2.0mm、寬2.0mm的正方形結構，6表示有6個引腳，多芯表示在單個芯片安裝部內可安裝多個芯片）。

由于需要在每個芯片安裝部布置更多的芯片，這就對單個芯片安裝部的尺寸要求更高了，為了提高框架基體材料的利用率，需要對芯片安裝部上芯片安置區及芯片安裝部在框架上的布置形式進行研究，以達到較高的綜合效益。

實用新型內容

本實用新型的發明目的在于：針對需要在單個芯片安裝部內布置多個芯片安置區的框架，由于芯片安置區數量的增加使得芯片安裝部的尺寸變大，進而在框架上布置的芯片安裝部數量有限，材料利用率低、生產成本高的問題，提供一種DFN2020-6多芯片高密度框架，該框架在每個芯片安裝部上設置3個芯片安置區，且分別分布于三角形的三個角上，利于節省布置空間，并將其中一個芯片安置區的槽型邊框周圍設置成半腐蝕結構，能利用該半腐蝕結構和芯片安置區放置2個小芯片，這樣整個芯片安裝部上可以4個芯片，提高芯片布置率，節約生產成本。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案為：

一種DFN2020-6多芯片高密度框架，包括板狀結構的矩形框架，在框架上設多個與DFN2020-6封裝結構相適應的芯片安裝部，在每個芯片安裝部上設有3個芯片安置區，3個芯片安置區的連線呈三角形，即3個芯片安置區分別位于三角形的三個角上；3個芯片安置區中其中2個為安置大芯片的大芯片安置位，另一為第一芯片安置區，所述第一芯片安置區用于放置2個小芯片，所述第一芯片安置區槽型邊框周圍的區域為半腐蝕結構。

該框架在芯片安裝部上設置3個芯片安置區，且分別分布于三角形的三個角上，利于節省布置空間；而三個芯片安置區中2個為大芯片安置位，另一個第一芯片安置區的槽型邊框周圍設置成半腐蝕結構，能利用該半腐蝕結構和第一芯片安置區放置2個小芯片，這樣整個芯片安裝部上可以4個芯片，提高芯片布置率，且能節約單個芯片安裝部的尺寸，達到在相同框架尺寸上布置更多的芯片安裝部的目的，提高框架材料利用率、節約生產成本。

作為本實用新型的優選方案，所述芯片安裝部為矩形結構，其中第一芯片安置區設置在靠近芯片安裝部邊緣的位置，在第一芯片安置區所在的芯片安裝部的側邊處還設有2個引腳槽，在芯片安裝部的另一相對側邊布置另外3個引腳槽。在芯片安裝部的一個側邊上，第一芯片安置區同2個引腳槽組成一組，與另外3個引腳槽設置于芯片安裝部的兩個對稱側邊，使得芯片安裝部剩余的兩邊不用布置槽型結構，相鄰的芯片安裝部之間的距離可以縮小，利于提高芯片安裝部的布置率。

作為本實用新型的優選方案，所述第一芯片安置區內的兩個小芯片分別引出1根引線，并焊接于離其最近的引腳槽內，而兩個大芯片安置位內的芯片分別引出2根引線，靠近邊緣的2根引線分別焊接于邊側的引腳槽內，中部的兩根引線共同焊接于中部引腳槽內。將引線引入最近的引腳槽內焊接，避免交叉干擾。

作為本實用新型的優選方案，相鄰的芯片安裝部之間為切割道，在切割道上間隔設有多個鏤空通孔。在切割道上字鏤空的通孔，便于芯片安裝部的分離切割，并且能抵消一定的框架變形，增加整體框架的抗損壞能力。

作為本實用新型的優選方案，所述框架的邊框和布置芯片安裝部的區域通過一圈邊框孔分隔開，所述邊框孔為間隔設置的矩形通孔。在框架的邊框和布置芯片安裝部的區域通過邊框孔隔開，便于邊框的分離操作，提高分離操作效率。

作為本實用新型的優選方案，在邊框孔的中部設有中部連筋，所述中部連筋為半腐蝕結構。采用中部連筋進行加強的邊框孔，保證可靠性；而將中部連筋設置成半腐蝕結構，也不增加分隔的難度。