[實用新型]一種高信噪比圖像傳感器

有效

• 申請號: 201720509217.4
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN206742241U
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 王國建
• 申請（專利權）人: 積高電子（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京紐樂康知識產權代理事務所(普通合伙)11210
• 代理人: 陳興強

1.一種高信噪比圖像傳感器，包括基底（1），其特征在于，所述基底（1）由可彎曲材料制作而成，所述基底（1）上均布有分離設置的若干感光元件（2），所述感光元件（2）包括p型襯底（3），所述p型襯底（3）上設置有至少一個像素單元，所述像素單元包括設置在p型襯底（3）上表面的n型埋層（4），所述n型埋層（4）的頂部覆蓋有p型外延層（5），所述n型埋層（4）和p型外延層（5）的周圍圍繞有n型隔離環（6），所述n型隔離環（6）電連接的導電插塞，所述導電插塞接高電位，所述n型隔離環（6）的頂部由下至上依次設置有濾光膜（10）和光學玻璃（11）。

2.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器，其特征在于，所述n型埋層（4）注入的n型離子為磷離子或者砷離子，n型離子注入劑量為10¹⁸-10²⁰/平方厘米。

3.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，所述p型外延層（5）的厚度為2-4微米，所述p型外延層（5）的電阻率為1-100歐姆。

4.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，所述像素單元包括若干像素，每個所述像素由光電二極管和復位晶體管組成，所述p型外延層（5）與n型阱（7）組成光電二極管，所述n型阱（7）與p型阱（8）組成PIN二極管。

5.根據權利要求4所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，相鄰兩個所述像素之間設置有隔離結構（9）。

6.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，在多個分離的所述感光元件（2）中，存在兩個感光元件（2）的法線形成的銳角大于10度。

7.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，多個所述感光元件（2）通過金屬線連通，其中一半以上的所述金屬線的長度大于所述多個感光元件（2）間距的1.05倍。

8.根據權利要求1所述的高信噪比圖像傳感器,其特征在于，多個所述感光元件（2）之間的空隙內填充有低透光率介質。