[實用新型]溝槽肖特基二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720505633.7
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN206878007U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設計）人: 余強;焦偉;桑雨果;姚鑫;張小辛
• 申請（專利權(quán)）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種溝槽肖特基二極管，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底中形成有多個具有第一寬度的第一溝槽以及至少一個位于終端的具有第二寬度的第二溝槽，所述第二寬度大于所述第一寬度；

介質(zhì)層，形成于所述第一溝槽第二溝槽表面；

多晶硅層，填充于所述第一溝槽中以及形成于所述第二溝槽的介質(zhì)層表面；

肖特基結(jié)，形成于所述第一溝槽之間的硅基底的表面；以及

上金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：通過控制所述第二溝槽的第二寬度以控制所述溝槽肖特基二極管的終端的降壓能力。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：所述第二寬度不小于3倍的第一寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：所述第二寬度為所述第一寬度的5～10倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：所述介質(zhì)層為二氧化硅層，所述二氧化層的厚度為50nm～1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：所述多晶硅為N型重摻雜的多晶硅，且所述多晶硅層的摻雜濃度為10¹⁹～10²¹/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于：所述上金屬電極連接各肖特基結(jié)并延伸至所述第二溝槽內(nèi)，并終止于所述第二溝槽底部的多晶硅上。