[實用新型]一種電子元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720504448.6
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN206819994U
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏超;張琦;吳良松;陳锃基
• 申請（專利權(quán)）人: 工業(yè)和信息化部電子第五研究所華東分所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種電子元件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的埋氧層；

位于所述埋氧層上遠離所述襯底一側(cè)的漂移層，所述漂移層的上表面形成有窗口，所述漂移層上表面為所述漂移層遠離所述埋氧層一側(cè)的表面；

位于所述窗口內(nèi)壁，或者所述窗口內(nèi)壁以及所述窗口下表面的摻雜區(qū)；

位于所述窗口內(nèi)的絕緣層，所述絕緣層包括至少一個第一絕緣層和至少一個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿第一方向排列，所述第一方向與所述漂移層的上表面平行；

位于所述絕緣層內(nèi)的一個金屬場板，所述金屬場板與所述摻雜區(qū)對應(yīng)設(shè)置；

位于所述漂移層上遠離所述埋氧層一側(cè)或者所述絕緣層上遠離所述埋氧層一側(cè)的源極電極、柵極電極以及漏極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述第一絕緣層為SiO₂層，所述第二絕緣層為低溫共燒陶瓷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述金屬場板為柵極金屬場板或者漏極金屬場板，所述柵極金屬場板與所述柵極電極連接，所述漏極金屬場板與所述漏極電極連接；

當(dāng)所述金屬場板為柵極金屬場板時，所述摻雜區(qū)為N型摻雜區(qū)；

當(dāng)所述金屬場板為漏極金屬場板時，所述摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件，其特征在于，所述金屬場板位于所述第一絕緣層內(nèi)；或者，

所述金屬場板位于所述第二絕緣層內(nèi)；或者，

所述金屬場板位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的界面交界處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述絕緣層包括兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，沿所述第一方向，至少兩個所述第二絕緣層位于兩個所述第一絕緣層之間，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數(shù)不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述絕緣層包括至少兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿所述第一方向間隔交叉排列，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數(shù)相同或者不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述電子元件還包括：

多晶硅層，與所述柵極電極對應(yīng)設(shè)置；

源極體區(qū)，與所述源極電極對應(yīng)設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述襯底為P型襯底，所述漂移層為N型漂移層，所述埋氧層為SiO₂層。