[實用新型]一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極有效
| 申請號： | 201720501139.3 | 申請日： | 2017-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN207009293U | 公開（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發明（設計）人： | 李振湖;劉雙翼 | 申請（專利權）人： | 重慶石墨烯研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01G11/26 | 分類號： | H01G11/26;H01G11/28;H01G11/24;H01G11/32;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產權代理有限公司11275 | 代理人： | 王貴君 |
| 地址： | 400714 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 導電 基底 直接 生長 摻雜 復合物 陣列 超級 電容器 負極 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳-鈷復合物微片陣列的超級電容器負極，其特征在于，所述負極包括導電基底、N摻雜碳微片，所述導電基底呈多孔狀，所述N摻雜碳微片呈葉片狀并陣列垂直分布于導電基底上，所述N摻雜碳微片包含均勻分布的Co納米粒子。
2.根據權利要求1所述一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳-鈷復合物微片陣列的超級電容器負極，其特征在于，所述N摻雜碳微片厚度為200-400nm，所述Co納米粒子粒徑為5-10nm。
3.根據權利要求1所述一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳-鈷復合物微片陣列的超級電容器負極，其特征在于，所述導電基底為碳布、泡沫鎳或泡沫銅。
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