[實用新型]一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構

有效

• 申請號: 201720487282.1
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN206850418U
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 郭小紅
• 申請（專利權）人: 薩銳微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 上海宣宜專利代理事務所(普通合伙)31288
• 代理人: 劉君

【技術領域】

本實用新型涉及電子元件技術領域，特別涉及一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構。

【背景技術】

目前在通訊交換機設備中的程控交換機，電話機，傳真機，配線架，通訊接口，通訊發射設備等一切需要防雷保護的領域中。特別是在一些需要防雷保護的電子元器件中，需要防護內部的IC 免受遭雷電瞬間突波的沖擊和造成破壞，而目前市面上普通的TSS 是一個過壓保護器件，具有精確導通，快速響應(響應時間納米級別)吸收浪涌能力強，雙向對稱，可靠性高，但普通的單芯工藝電容大，如要用在信號口，干擾大，影響信號接收，所以，需要一個超低容的產品來降低干擾，使接收信號強

【實用新型內容】

本實用新型的主要目的在于提供一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構，可以有效解決背景技術中的問題。

為實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：

一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構，包括殼體和引線，所述殼體的一側卡接有第一引腳，所述殼體的另一側卡接有第二引腳，所述殼體的底端固定有墊板，所述殼體的中部卡接有第一TSS 芯片和第二TSS芯片。

進一步地，所述第一引腳通過引線連接于殼體的上部。

進一步地，所述第二引腳通過引線連接于殼體的下部。

進一步地，所述第一TSS芯片與第二TSS芯片為并聯電性連接。

進一步地，所述第一TSS芯片與第二TSS芯片為分層疊加結構，所述第一TSS芯片與第二TSS芯片之間相互平行，且大小相等。

進一步地，所述第一引腳和第二引腳的材料均為紫銅。

進一步地，所述殼體為密封結構，且殼體表面覆蓋有防水材料。

與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：本實用新型用具有雷電防護功能，目前主要廣泛應用于通訊交換機設備中，而且該種實用新型設計合理，使用方便，非常適合作用于電子元器件的防雷電保護，通過雙碟片設計，可以有效實現元器件內部的超低容性能，而且殼體采用密封結構設計，可以有效對殼體內部的元器件進行保護，功能實用，非常適合大范圍的推廣。

【附圖說明】

圖1為本實用新型整體結構示意圖。

圖2為本實用新型的內部結構示意圖。

圖中：1、第一引腳；2、殼體；3、墊塊；4、第二引腳；5、引線；6、第一TSS芯片；7、第二TSS芯片。

【具體實施方式】

為使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施方式，進一步闡述本實用新型。

如圖1-2所示，一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構，包括殼體2和引線5，所述殼體2的一側卡接有第一引腳1，所述殼體2 的另一側卡接有第二引腳4，所述殼體2的底端固定有墊板3，所述殼體2的中部卡接有第一TSS芯片6和第二TSS芯片7，為此可有效實現電子元器件的防雷電保護。

其中，所述第一引腳1通過引線5連接于殼體2的上部。

其中，所述第二引腳4通過引線5連接于殼體2的下部。

其中，所述第一TSS芯片6與第二TSS芯片7為并聯電性連接，實現元器件的超低容性能。

其中，所述第一TSS芯片6與第二TSS芯片7為分層疊加結構，所述第一TSS芯片6與第二TSS芯片7之間相互平行，且大小相等。

其中，所述第一引腳1和第二引腳4的材料均為紫銅，提高引腳的導電性能。

其中，所述殼體2為密封結構，且殼體2表面覆蓋有防水材料，對殼體2內部的元器件進行隔離保護。

需要說明的是，本實用新型為一種用于雷電保護的雙碟片超低容結構，工作時，由于第一TSS芯片6與第二TSS芯片7之間采用并聯結構設計，為此來實現電容的超低容性能，接著采用分層疊加的雙碟片設計，可有效提高殼體2的空間利用率，降低殼體2體積，提高產品的抗干擾能力，最后只需將第一引腳1和第二引腳4 接入外接設備即可。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。