[實用新型]一種防止絲網印刷燒結后背電場劃傷的頂針網帶有效
| 申請號: | 201720486463.2 | 申請日: | 2017-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN206849852U | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發明(設計)人: | 樊斌 | 申請(專利權)人: | 東方日升(洛陽)新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B41F15/14 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產權代理有限公司11401 | 代理人: | 王濱生 |
| 地址: | 471000*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 絲網 印刷 燒結 后背 電場 劃傷 頂針 | ||
技術領域
本實用新型涉及絲網印刷燒結爐網帶,尤其是一種防止絲網印刷燒結后背電場劃傷的頂針網帶。
背景技術
現有的燒結爐網帶,由于頂針高度較低,相鄰兩個頂針之間寬度較大,導致網帶與單晶硅電池片背電場的接觸面積較大,網帶在正常運行的過程中,會出現抖動,電池片下表面與頂針上端產生的摩擦系數較大,導致燒結后電池片背電場出現劃傷,外觀不良,EL測試會在相對應的位置出現黑斑,從而導致單晶硅電池片不良率的大幅度上漲。怎樣能夠避免電池片被頂針上端劃傷成為長期以來難以解決的技術難題。
鑒于上述原因,現研發出一種防止絲網印刷燒結后背電場劃傷的頂針網帶。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種防止絲網印刷燒結后背電場劃傷的頂針網帶,減少由于網帶抖動造成的電池片與網帶頂針之間的摩擦系數,從而達到解決單晶硅電池片燒結后背電場劃傷的問題,降低絲網印刷燒結后背鋁劃傷的比例,提高電池片的合格率。
本實用新型為了實現上述目的,采用如下技術方案:一種防止絲網印刷燒結后背電場劃傷的頂針網帶,是由:網帶、左頂針、右頂針、外底桿、豎桿、斜桿、內底桿構成;網帶上表面均勻分布相互平行的至少兩對頂針,每對頂針所在平面垂直于網帶的上表面,每對頂針互為反方向位于網帶縱向中心線的兩側,每對頂針由左頂針和右頂針構成;
左頂針和右頂針的結構相同,左頂針和右頂針的結構均為:豎桿垂直于水平的外底桿的后端,豎桿與外底桿構成直角,斜桿上端與豎桿上端之間構成的夾角為60°,斜桿下端與水平的內底桿的前端對接,斜桿與內底桿構成的夾角為150°,外底桿和內底桿固定在網帶上表面,外底桿、豎桿、斜桿和內底桿一體成形,左頂針和右頂針的豎桿的高度為H,H為10.2~10.4mm;
左頂針和右頂針的尺寸不同:左頂針的外底桿前端與內底桿的后端之間的水平間距為L1,L1為70~72mm,右頂針的外底桿前端與內底桿的后端之間的水平間距為L2,L2為53~55mm,左頂針的內底桿的后端和右頂針的內底桿的后端之間的水平間距為L3,L3為79~81mm。
本實用新型的有益效果是:通過增加頂針的高度,減小左頂針或右頂針的寬度,以及每對頂針之間的間距,減少電池片與頂針的接觸面積,在單晶硅電池片的生產制造過程中,本實用新型更好的固定電池片在網帶運行過程中的位置,減少由于網帶抖動造成的電池片與網帶頂針之間的摩擦系數,從而達到解決單晶硅電池片燒結后背電場劃傷的問題。降低絲網印刷燒結后背鋁劃傷的比例,提高電池片的合格率。
本實用新型在原有的基礎上做了改動,節約了成本;很好的解決了單晶硅電池片絲網印刷燒結后背電場劃傷的問題;降低了不良比例,提高了單晶硅電池片的合格率。結構簡單、操作方便、生產成本低廉、使用效果顯著、適合普遍推廣應用。
附圖說明
下面結合附圖對本實用新型作進一步說明:
圖1是總裝俯視結構示意圖;
圖2是圖1的平視結構示意圖;
圖1、2中:網帶1、左頂針2、右頂針3、外底桿4、豎桿5、斜桿6、內底桿7。
具體實施方式
下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明:
網帶1上表面均勻分布相互平行的至少兩對頂針,每對頂針所在平面垂直于網帶1的上表面,每對頂針互為反方向位于網帶1縱向中心線的兩側,每對頂針由左頂針2和右頂針3構成;
左頂針2和右頂針3的結構相同,左頂針2和右頂針3的結構均為:豎桿5垂直于水平的外底桿4的后端,豎桿5與外底桿4構成直角,斜桿6上端與豎桿5上端之間構成的夾角為60°,斜桿6下端與水平的內底桿7的前端對接,斜桿6與內底桿7構成的夾角為150°,外底桿4和內底桿7固定在網帶1上表面,外底桿4、豎桿5、斜桿6和內底桿7一體成形,左頂針2和右頂針3的豎桿5的高度為H,H為10.2~10.4mm;
左頂針2和右頂針3的尺寸不同:左頂針2的外底桿4前端與內底桿7的后端之間的水平間距為L1,L1為70~72mm,右頂針3的外底桿4前端與內底桿7的后端之間的水平間距為L2,L2為53~55mm,左頂針2的內底桿7的后端和右頂針3的內底桿7的后端之間的水平間距為L3,L3為79~81mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





