[實用新型]半太陽電池片的電極圖形有效
| 申請號: | 201720480852.4 | 申請日: | 2017-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN206992119U | 公開(公告)日: | 2018-02-09 |
| 發明(設計)人: | 顧艷杰;趙釗;王軍;劉德臣;房強 | 申請(專利權)人: | 北京捷宸陽光科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽電池 電極 圖形 | ||
技術領域
本實用新型屬于光伏電池制造領域,尤其涉及到一種半太陽電池片的電極圖形。
背景技術
常規組件使用尺寸統一的電池進行封裝,目前電池尺寸多為156mm*156mm和156.75mm*156.75mm。封裝完成的組件存在功率損失,功率損失的其中一部分來自電學損失,即Ploss=I2*R。當使用半太陽電池片封裝組件時,通過電池的電流降為原來的一半,而組件內部電阻不變,這時功率損失降低為原來的四分之一,也即使用半電池封裝的組件可以提升最大輸出功率,經過實際測試,組件功率提升1.5%-3%。該提升是相當可觀的,如何獲得半太陽電池片成為提升組件功率的重要環節。
目前晶硅電池常規工藝步驟為濕法制絨-磷擴散-濕法刻蝕-去PSG-PECVD-印刷-燒結。半太陽電池片使用常規電池進行激光切割而成。使用常規電池進行切割的半太陽電池片存在很多缺陷,如帶柵線的斷面參差不齊、漏電等,做成組件時還可能因為電池副柵線根數不同電流失配造成功率損失增加,切割的直角應力大,破片率增加等。
實用新型內容
本實用新型克服了上述方案的缺點,提出了一種半太陽電池片的電極圖形。該電極圖形制得的半太陽電池片切割斷面整齊、無漏電風險,有效解決了后續組件制程中的問題,使組件制程破片率低、封裝損失低、最大輸出功率高的優點。
為解決上述問題,本實用新型提供一種半太陽電池片的電極圖形,其包括背電極、背電場和正電極圖形,其中,
所述半太陽電池片圖形沿電池片的中線對稱;
所述正電極圖形以中線為軸分成左右兩個子電極圖形,兩個子電極圖形為全封閉結構,且與所述中線具有間隔;
所述背電極為分段式或連續式,與背電場邊緣接觸并露出可焊接電極圖形,背電極與正電極處于同一條線上。
優選的是,所述的半太陽電池片的電極圖形中,
正電極圖形包括主柵線和副柵線;
主柵線條數在2條及以上,寬度在0.8-1.5mm范圍內,長度在154-155mm范圍內,主柵線相互平行,兩條相鄰主柵線之間的距離為邊緣主柵線到電池片邊緣的兩倍,為實心直線結構或者分段的鏤空部分和非鏤空部分組成的直線結構;
副柵線與主柵線垂直,總數為偶數,且數量在60-160根之間,也即兩側副柵線數量分別在30-80根之間,線寬為20-40μm,均勻分布于電池表面,中線兩側的兩條副柵線的間距為0.2-2mm。
優選的是,所述的半太陽電池片的電極圖形中,背電極為分段式時均勻分布,總長度為60-150mm,寬度為1.8-3mm。
本實用新型提供的半太陽電池片的電極圖形,工藝流程簡單,易操作,生產出的半太陽電池片更加統一標準,使半太陽電池片機械強度和可加工性增強,缺陷減少,使半太陽電池片組件封裝功率損失降低,最大輸出功率增高,制成成品率提升,適合規模化的工業生產。
本實用新型的其它優點、目標和特征將部分通過下面的說明體現,部分還將通過對本實用新型的研究和實踐而為本領域的技術人員所理解。
附圖說明
圖1為本實用新型提供的半太陽電池片的電極圖形的一個實施例中的背電極圖形示意圖;
圖2為本實用新型提供的半太陽電池片的電極圖形的一個實施例中的背電場圖形示意圖;
圖3為本實用新型提供的半太陽電池片的電極圖形的一個實施例中的正電極圖形示意圖;
圖4為采用本實用新型提供的半太陽電池片的電極圖形制得的半太陽電池片的結構示意圖。
具體實施方式
下面對本實用新型做進一步的詳細說明,以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。
應當理解,本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術語并不配出一個或多個其它元件或其組合的存在或添加。
如圖1、圖2和圖3所示,本實用新型提供一種半太陽電池片的電極圖形,其包括背電極、背電場和正電極圖形,其中,
所述正電極圖形以中線為軸分成左右兩個子電極圖形,兩個子電極圖形為全封閉結構,且與所述中線具有間隔;
所述背電極為分段式或連續式,與背電場邊緣接觸并露出可焊接電極圖形,背電極與正電極處于同一條線上。
所述的半太陽電池片的電極圖形中,
正電極圖形包括主柵線和副柵線;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





