[實(shí)用新型]一種MEMS芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720477617.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-02 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN206970199U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王德信;方華斌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81B7/02 | 分類號(hào)： | B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00;G01L9/12;G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務(wù)所11323 | 代理人： | 權(quán)鮮枝,吳昊 |
| 地址： | 261031 山東省濰*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mems 芯片 | ||
1.一種MEMS芯片，其特征在于，集成了氣壓傳感部和氣體傳感部，所述氣壓傳感部和所述氣體傳感部共用襯底(1)，所述氣壓傳感部包括下電極(3)、支撐部(4)和對(duì)氣壓敏感的上電極(5)，所述氣體傳感部包括測(cè)量電極(12)和對(duì)氣體敏感的敏感材料膜(13)；
所述下電極(3)和所述測(cè)量電極(12)互不接觸地設(shè)置在所述襯底(1)的上端面上，所述上電極(5)通過(guò)支撐部(4)支撐在所述下電極(3)上，所述下電極(3)、支撐部(4)和上電極(5)形成用于測(cè)量氣壓的平板電容傳感器；
所述測(cè)量電極(12)上設(shè)置裸露在外的所述敏感材料膜(13)，所述測(cè)量電極(12)和敏感材料膜(13)形成用于測(cè)量氣體種類和濃度的電阻傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述襯底(1)采用單晶硅材質(zhì)，所述MEMS芯片還包括：第一絕緣層(2_1)和第二絕緣層(2_2)；
所述第一絕緣層(2_1)設(shè)置在所述襯底(1)的所述上端面上，且位于所述襯底(1)的上端面與所述下電極(3)、測(cè)量電極(12)之間；
所述第二絕緣層(2_2)設(shè)置在所述襯底(1)的下端面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撐部(4)內(nèi)還設(shè)置有將下電極(3)的電信號(hào)引出的導(dǎo)電部(8)，在所述支撐部(4)的端面上形成了連通導(dǎo)電部(8)的焊盤(pán)(7)，以及在所述上電極(5)上形成將上電極(5)的電信號(hào)引出的焊盤(pán)(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，還包括加熱電極(10)，所述加熱電極(10)對(duì)應(yīng)所述測(cè)量電極(12)設(shè)置在所述第一絕緣層(2_1)上，所述加熱電極(10)和所述測(cè)量電極(12)之間設(shè)置第三絕緣層(11)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述加熱電極(10)兩對(duì)端突出所述第三絕緣層(11)的邊緣形成相應(yīng)的突出部，在所述突出部上形成所述加熱電極(10)的焊盤(pán)(14)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述襯底(1)的下端面所在側(cè)設(shè)置有正對(duì)所述測(cè)量電極(12)的背腔(1_1)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述下電極(3)和所述測(cè)量電極(12)各占所述上端面的一半面積。
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