[實用新型]多組分涂層和具有多組分涂層的半導體工藝腔室部件

有效

• 申請號: 201720461582.2
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN207193391U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: D·芬威克;J·Y·孫
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;C23C16/30
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種被涂布的半導體工藝腔室部件，包括；

具有表面的半導體工藝腔室部件；以及

被涂布在所述表面上的多組分涂層，所述多組分涂層包括：

使用原子層沉積工藝涂布到所述表面上的氧化釔或氟化釔的至少一個第一膜層；以及

使用原子層沉積工藝涂布到所述表面上的額外氧化物或額外氟化物的至少一個第二膜層。

2.如權利要求1所述的被涂布的半導體工藝腔室部件，其中所述多組分涂層進一步包括至少一個額外膜層，所述至少一個額外膜層包括使用原子層沉積工藝涂布到所述表面上的氧化鋁或氧化鋯。

3.如權利要求1所述的被涂布的半導體工藝腔室部件，其中所述多組分涂層包括所述至少一個第一膜層和所述至少一個第二膜層的互相擴散的固態相。

4.如權利要求1所述的被涂布的半導體工藝腔室部件，其中所述多組分涂層包括所述至少一個第一膜層和所述至少一個第二膜層的交替的完整的層。

5.一種用于半導體工藝腔室部件的表面的多組分涂層，包括：

使用原子層沉積工藝涂布到所述半導體工藝腔室部件的所述表面上的氧化釔或氟化釔的至少一個第一膜層；以及

使用原子層沉積工藝涂布到所述半導體工藝腔室部件的所述表面上的額外氧化物或額外氟化物的至少一個第二膜層。

6.如權利要求5所述的多組分涂層，其中所述至少一個第一膜層包括第一連續單層，以及其中所述至少一個第二膜層包括第二連續單層。

7.如權利要求5所述的多組分涂層，其中所述至少一個第一膜層包括具有多達1微米的均勻厚度的第一厚層，以及其中所述至少一個第二膜層包括具有所述均勻厚度的第二厚層。