[實用新型]一種新型H橋驅動電路

有效

• 申請號: 201720461555.5
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN207150471U
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 上海燦瑞科技股份有限公司
• 主分類號: H02P7/03
• 分類號: H02P7/03
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 鄧琪

1.一種新型H橋驅動電路，其包括電源端VCC和接地端GND，還包括分別構成所述H橋驅動電路的半橋電路的第一驅動模塊和第二驅動模塊，其特征在于，所述第一驅動模塊包括晶體管NM1、用于鉗制晶體管NM1電壓的鉗位電路、晶體管NM2、用于提高晶體管NM2電壓的升壓電路以及用于根據外部控制信號控制所述晶體管NM1、晶體管NM2、鉗位電路、升壓電路動作的控制電路；所述晶體管NM2和晶體管NM1依次串聯在所述電源端VCC與所述接地端GND之間；所述晶體管NM2為NMOS管；所述升壓電路、晶體管NM1、晶體管NM2和鉗位電路分別與所述控制電路連接；所述升壓電路與所述電源端VCC、晶體管NM2分別連接；所述鉗位電路與所述晶體管NM1連接。

2.根據權利要求1所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述第二驅動模塊與所述第一驅動模塊結構對稱。

3.根據權利要求1所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述晶體管NM1為NMOS管。

4.根據權利要求3所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述控制電路包括信號端H_CTR1、信號端L_CTR1、電壓參考端VREG、晶體管PM3、晶體管NM4、晶體管NM5以及電阻R1；所述晶體管NM5為NMOS管，所述晶體管NM5的柵極與信號端H_CTR1連接，源極與接地端GND連接，漏極連接于升壓電路與晶體管NM2的柵極連接處；所述晶體管NM4為NMOS管，所述晶體管NM4的柵極與信號端L_CTR1連接，源極與接地端GND連接，漏極通過電阻R1連接于鉗位電路與晶體管NM1的柵極連接處；所述晶體管PM3為PMOS管，其柵極與信號端L_CTR1連接，漏極通過電阻R1與晶體管NM4的漏極連接，源極與電壓參考端VREG連接。

5.根據權利要求4所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述控制電路通過所述信號端H_CTR1和信號端L_CTR1接收所述外部控制信號。

6.根據權利要求3所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述升壓電路包括信號端VB、信號端CLK1、信號端CLK2、晶體管PM5、晶體管PM4、晶體管NM6、晶體管NM7、電容C1、穩壓管ZD0、二極管D1以及二極管D2，所述晶體管PM5、所述晶體管PM4為PMOS管，所述晶體管NM6、所述晶體管NM7為NMOS管；所述晶體管PM5的柵極與所述信號端CLK2連接，源極與所述電源端VCC連接，漏極與所述晶體管NM7的漏極連接；所述晶體管PM4的柵極與所述控制電路連接，漏極經過所述二極管D2與所述晶體管NM2連接，源極連接于所述二極管D1與所述電容C1的連接處；所述穩壓管ZD0與串聯的所述二極管D1、所述電容C1相并聯，所述穩壓管ZD0的負極端與所述電源端VCC和二極管D1的正極端連接，正極端與所述晶體管PM5的漏極和電容C1的負極板連接；所述晶體管NM7的柵極與信號端CLK1連接，漏極連接于所述穩壓管ZD0與所述晶體管PM5的漏極的連接處，所述晶體管NM7的源極與所述晶體管NM6的漏極連接，所述晶體管NM6的柵極與所述信號端VB連接，所述晶體管NM6的源極接地。

7.根據權利要求3所述的新型H橋驅動電路，其特征在于，所述鉗位電路包括信號端IB、電阻R2、晶體管PM1、晶體管PM2以及晶體管NM3；所述晶體管PM1、所述晶體管PM2為PMOS管，所述晶體管NM3為NMOS管；所述晶體管PM1的柵極與其自身的漏極和所述晶體管PM2的柵極連接，所述晶體管PM1的源極與所述電源端VCC連接，漏極與信號端IB連接；所述晶體管PM2的源極經過所述電阻R2與所述晶體管NM2的源極連接，漏極與所述晶體管NM3的漏極連接，所述晶體管NM3的柵極連接于電阻R2與所述晶體管NM1的源極的連接處，所述晶體管NM3的源極連接于所述控制電路與所述晶體管NM1的柵極連接處。